FCH90N15是一款高性能的N沟道功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),由安森美半导体(onsemi)生产。这款MOSFET专门设计用于高电流、高效率的电源转换应用,例如DC-DC转换器、电源管理模块以及电机控制电路等。FCH90N15的命名中,“FC”表示安森美半导体的功率MOSFET产品线,“H”表示增强型MOSFET,“90N”代表最大漏极电流为90A,“15”表示漏源击穿电压为150V。该器件采用先进的平面工艺制造,具有较低的导通电阻(Rds(on))和较高的开关性能。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):150V
栅源电压(Vgs):±20V
连续漏极电流(Id):90A
导通电阻(Rds(on)):约3.8mΩ(典型值)
工作温度范围:-55°C至175°C
封装形式:TO-220、D2PAK等
FCH90N15的主要特性包括优异的导通和开关性能,使其适用于高效率的功率转换应用。其导通电阻非常低,通常仅为3.8mΩ,这有助于减少导通损耗,提高整体系统的能效。同时,该器件具有较高的耐压能力,漏源击穿电压高达150V,能够在较高的电压环境下稳定工作。此外,FCH90N15具备良好的热稳定性和可靠性,能够在高温环境下保持良好的性能,适用于汽车电子、工业电源等对可靠性要求较高的应用场景。
FCH90N15的栅极驱动电压范围较宽,通常在10V至20V之间,这使得它能够与多种类型的栅极驱动电路兼容。该器件还具有较低的栅极电荷(Qg),有助于减少开关损耗并提高开关速度,从而提升系统的整体效率。此外,FCH90N15的内部结构优化了电场分布,降低了短路和过载情况下的失效风险,提高了器件的耐用性和稳定性。
在封装方面,FCH90N15通常采用TO-220或D2PAK等标准功率封装形式,便于安装和散热设计。这些封装形式具有良好的散热性能,能够有效降低工作温度,延长器件的使用寿命。
FCH90N15广泛应用于各种高功率电子设备中,尤其是在电源转换和电机控制领域。例如,在DC-DC转换器中,FCH90N15可以作为主开关元件,用于将输入电压转换为所需的输出电压,并保持较高的转换效率。在电源管理系统中,该器件可用于负载开关、电池管理以及功率因数校正等电路。此外,FCH90N15还常用于电机控制电路中,作为H桥电路中的开关元件,实现电机的正反转控制和调速功能。
在汽车电子系统中,FCH90N15也具有广泛的应用,例如用于车载充电器、电动助力转向系统(EPS)、电机驱动器等。由于其具有较高的可靠性和耐高温性能,因此在汽车环境中的高温工况下依然能够稳定运行。此外,在工业自动化控制系统中,FCH90N15也可用于各种功率开关和继电器替代应用,提高系统的响应速度和能效。
SiHH90N15、IRF9540N、FDP90N15