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R5009ANX FDPF10N50FT 发布时间 时间:2025/8/25 2:57:18 查看 阅读:3

R5009ANX FDPF10N50FT 是一款由Renesas(瑞萨电子)和Fairchild(飞兆半导体,现为ON Semiconductor的一部分)合作或授权生产的功率场效应晶体管(MOSFET)。该器件属于N沟道增强型MOSFET,设计用于高功率和高频率应用,具备低导通电阻、高耐压和高效能的特点。该型号通常用于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制以及各种高功率电子设备中。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(VDS):500V
  栅源电压(VGS):±20V
  连续漏极电流(ID):10A
  导通电阻(RDS(on)):典型值0.68Ω
  功率耗散(PD):75W
  工作温度范围:-55°C 至 150°C
  封装类型:TO-220FP

特性

R5009ANX FDPF10N50FT 具备多项高性能特性。其低导通电阻(RDS(on))确保在高电流条件下具有较低的传导损耗,从而提高系统效率。
  该MOSFET具备高耐压能力(500V VDS),适用于各种高压电源系统,如开关电源、适配器和UPS系统。
  其封装形式为TO-220FP,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。
  此外,该器件具有高雪崩能量承受能力,增强了在极端工作条件下的可靠性。
  栅极驱动电压范围宽(±20V),使其兼容多种驱动电路,包括常见的12V和15V驱动器。
  该器件的高功率耗散能力(75W)允许其在高负载环境下稳定运行,适用于工业级和汽车电子应用。

应用

该MOSFET广泛应用于各类电力电子系统中,包括开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、AC-DC电源模块、电机驱动器、照明镇流器以及高功率负载开关等。
  在工业自动化设备中,它可用于控制电机、继电器和执行机构的电源开关。
  在通信设备中,常用于电源管理模块,确保高效率和稳定运行。
  此外,R5009ANX FDPF10N50FT 也适用于家电产品,如电磁炉、变频空调等,提供高效的功率控制能力。
  在新能源领域,如太阳能逆变器和储能系统中,该器件也可用于功率变换和控制模块。

替代型号

FDPF10N50FT, FQA10N50, 2SK2142, IRFBC20, FDPF13N50

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