时间：2025/5/28 20:38:03
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SUD70N03-04P是一款N沟道功率MOSFET，采用TO-252(DPAK)封装形式。该器件主要适用于中低电压应用场合，具有较低的导通电阻和较高的开关速度，能够满足高效能电源转换、电机驱动以及负载切换等需求。
其工作电压为30V，适用于多种工业和消费类电子领域，凭借其优秀的电气性能和散热特性，成为众多设计工程师的理想选择。
最大漏源电压(Vds)：30V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
连续漏极电流(Id)：70A
导通电阻(Rds(on))：4mΩ（在Vgs=10V时）
栅极电荷(Qg)：65nC
开关时间：开通时间(t_on)=8ns，关断时间(t_off)=20ns
工作结温范围：-55℃至+175℃
SUD70N03-04P具有以下关键特性：
1. 极低的导通电阻(Rds(on))，可显著降低传导损耗，提高效率。
2. 较高的电流承载能力(70A)，适合大功率应用。
3. 快速开关速度，支持高频操作，减少开关损耗。
4. 高雪崩能量能力，增强了器件的鲁棒性和可靠性。
5. 符合RoHS标准，环保且安全可靠。
6. 采用DPAK封装，具备良好的热性能和电气性能。
SUD70N03-04P广泛应用于以下领域：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关。
2. DC/DC转换器中的同步整流器。
3. 电池保护电路及负载切换。
4. 工业设备中的电机控制与驱动。
5. 消费类电子产品中的过流保护和短路保护。
6. 电信系统中的电源管理模块。
SUD70N03L-04P, IRF7775, FDP70N03L
