时间：2025/6/29 6:39:55
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CGA2B2NP01H181J050BA 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要应用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等场景。该器件采用先进的制造工艺，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够显著提升系统效率并降低能耗。
这款芯片属于 N 沟道增强型 MOSFET，其设计旨在满足现代电力电子设备对高效能和小型化的需求。它具有出色的热性能和电气性能，能够在广泛的工业应用中提供可靠的解决方案。
型号：CGA2B2NP01H181J050BA
类型：N沟道增强型MOSFET
封装：TO-247-3L
最大漏源电压(Vds)：100V
最大栅源电压(Vgs)：±20V
最大连续漏极电流(Id)：50A
导通电阻(Rds(on))：1.8mΩ
总功耗(Ptot)：160W
工作温度范围：-55℃至+175℃
栅极电荷(Qg)：90nC
输入电容(Ciss)：5300pF
CGA2B2NP01H181J050BA 的主要特性包括以下几点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，仅为 1.8mΩ，可有效降低传导损耗。
2. 高额定电流能力 (50A)，适用于大功率应用场景。
3. 快速开关性能，栅极电荷较低 (90nC)，有助于减少开关损耗。
4. 宽工作温度范围 (-55℃ 至 +175℃)，适合恶劣环境下的运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且安全可靠。
6. 具备强大的散热性能，支持长时间稳定工作。
7. 高击穿电压 (100V)，确保在高压环境下仍能保持稳定性。
这些特性使得 CGA2B2NP01H181J050BA 成为许多高功率应用的理想选择。
CGA2B2NP01H181J050BA 广泛应用于以下领域：
1. 开关模式电源 (SMPS) 和不间断电源 (UPS) 系统。
2. 工业电机驱动和伺服控制。
3. 太阳能逆变器和风能转换系统。
4. 电动汽车 (EV) 和混合动力汽车 (HEV) 的牵引逆变器。
5. DC-DC 转换器和 PFC（功率因数校正）电路。
6. 大功率 LED 驱动和负载切换。
由于其卓越的性能和可靠性，这款芯片在各种高功率、高效率需求的应用中表现优异。
CGA2B2NP01H181J050BB, CGA2B2NP01H181J050BC
