时间：2025/6/11 21:16:43
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SUD50P04-13L 是一款 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用 TO-263 封装形式。该器件具有低导通电阻和高开关速度的特点，适用于多种电源管理应用，包括 DC-DC 转换器、负载开关以及电机驱动等场景。
其耐压能力为 40V，最大漏极电流可达 50A（脉冲），并支持逻辑电平驱动，从而简化了电路设计。
最大漏源电压：40V
最大栅源电压：±20V
连续漏极电流：16A
导通电阻：8mΩ（典型值，Vgs=10V）
栅极电荷：27nC（典型值）
开关时间：t_on=28ns，t_off=18ns
工作结温范围：-55℃至+150℃
1. 低导通电阻：在 Vgs=10V 时，Rds(on) 典型值仅为 8mΩ，可有效降低功率损耗。
2. 高效率：快速开关性能有助于减少开关损耗，提高系统效率。
3. 逻辑电平驱动：支持低至 4.5V 的栅极驱动电压，便于与现代控制器兼容。
4. 热稳定性：封装具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。
5. 可靠性：符合工业标准的耐用性和可靠性测试要求，适合长期运行。
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流。
2. DC-DC 转换器的核心功率级元件。
3. 电池管理系统中的负载开关或保护开关。
4. 电机驱动电路中的功率输出级。
5. LED 驱动器中的电流调节元件。
IRF540N, FDP5800, AO3400
