时间：2025/5/26 15:09:27
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GA1210H124JBAAR31G 是一款高性能的 MOSFET 功率晶体管，专为高效率和低功耗应用而设计。该器件采用先进的制造工艺，具有较低的导通电阻和快速开关特性，非常适合用于开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。
其封装形式为 TO-263（D2PAK），能够提供卓越的散热性能和电气稳定性。
型号：GA1210H124JBAAR31G
类型：N沟道增强型MOSFET
最大漏源电压（Vds）：120V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：16A
导通电阻（Rds(on)）：8.5mΩ（典型值，在Vgs=10V时）
栅极电荷（Qg）：47nC
输入电容（Ciss）：2250pF
反向恢复时间（trr）：小于50ns
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
1. 极低的导通电阻 Rds(on)，有助于减少导通损耗，提高系统效率。
2. 快速开关特性，支持高频操作，适用于高效能转换器。
3. 高额定漏源电压 Vds，保证在高压环境下可靠运行。
4. 具备良好的热稳定性，适应工业级和汽车级应用场景。
5. 封装形式为 TO-263，易于安装并提供出色的散热能力。
6. 符合 RoHS 标准，环保且满足国际法规要求。
1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
2. DC-DC 转换器及逆变器的核心功率器件。
3. 电机驱动电路中的开关控制元件。
4. 各种工业自动化设备中的负载切换。
5. 汽车电子系统的功率管理模块。
6. 可再生能源领域如太阳能微逆变器中的关键组件。
IRFZ44N, FQP16N12, STP16NF06
