时间：2025/4/30 20:11:24
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SUD23N06-31L-T4-E3 是一款 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET），采用 TO-252 封装形式。该器件适用于多种开关和功率转换应用，具有较低的导通电阻和较高的效率。其额定电压为 60V，广泛应用于消费电子、工业控制及汽车电子等领域。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.5mΩ（典型值）
栅极阈值电压：2.5V~4.5V
功耗：25W
工作温度范围：-55℃~175℃
SUD23N06-31L-T4-E3 具有低导通电阻，有助于减少传导损耗并提高系统效率。同时，其封装设计紧凑且具备良好的散热性能，能够满足高密度电路板布局需求。
该 MOSFET 的开关速度快，栅极电荷低，非常适合高频开关应用。此外，其出色的热稳定性和可靠性使其在严苛环境下依然能保持良好性能。
由于采用了先进的制造工艺，SUD23N06-31L-T4-E3 在动态特性和静态特性之间实现了平衡，是高效功率转换的理想选择。
该器件常见于 DC-DC 转换器、电机驱动、电源管理模块以及负载开关等场景中。在消费电子领域，它可以用于笔记本电脑适配器或手机快速充电器；在工业自动化领域，则可作为固态继电器或逆变器的核心元件之一。
SUD23N06-31L-T4-E3 还适合用作同步整流器，在提升效率的同时降低发热问题。另外，在电动车窗、座椅调节等汽车电子应用中也表现优异。
SUD22N06L, IRFZ44N, FDP039N06L
