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IRF3805S-7PPBF 发布时间 时间:2023/3/9 17:12:38 查看 阅读:302

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

 

目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET N 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:2.6 毫欧 @ 140A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):55V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:160A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:200nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :7820pF @ 25V

    功率 - 最大:300W

    安装类型:表面贴装

    封装/外壳:D2Pak, TO-263 (6 引线 + 接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:D2PAK (7-Lead)



资料

厂商
Infineon Technologies

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IRF3805S-7PPBF参数

  • 标准包装50
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)55V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C160A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C2.6 毫欧 @ 140A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs200nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds7820pF @ 25V
  • 功率 - 最大300W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-263-7,D²Pak(6 引线+接片),TO-263CB
  • 供应商设备封装D2PAK(7-Lead)
  • 包装管件