时间：2025/4/7 10:06:31
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SUD23N06-31-GE3 是一款基于沟道技术的 N 沟道增强型功率场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用 TO-263 封装形式，具有低导通电阻、快速开关特性和高电流处理能力等特点，适用于各种电源管理和转换应用。
该 MOSFET 的额定电压为 60V，典型应用场景包括 DC-DC 转换器、电机驱动电路、负载开关和可靠性使其成为工业、汽车和消费电子领域的理想选择。
最大漏源电压：60V
连续漏极电流：23A
导通电阻：4.5mΩ（典型值，在 Vgs=10V 时）
栅极电荷：8nC（典型值）
输入电容：1020pF（典型值）
反向恢复时间：无（由于是 MOSFET）
工作结温范围：-55℃ 至 +175℃
封装类型：TO-263
这款 MOSFET 的主要特点是其低导通电阻和高效率，能够显著减少功率损耗并提升系统性能。
1. 低导通电阻（Rds(on)）确保在高电流应用中减少功耗和发热。
2. 快速开关速度使其适合高频操作环境。
3. 高雪崩击穿能力和鲁棒性增强了器件的耐用性和可靠性。
4. 具有良好的热稳定性和电气特性，可适应恶劣的工作条件。
5. 符合 RoHS 标准，环保且支持表面贴装工艺（SMD），便于大规模生产。
SUD23N06-31-GE3 在设计上注重散热管理，通过优化封装结构和芯片布局，进一步提高了热传导效率。
1. 开关模式电源（SMPS）中的同步整流电路。
2. 降压或升压 DC-DC 转换器的核心开关元件。
3. 电动工具及家用电器中的电机驱动电路。
4. 工业自动化设备中的负载开关和保护电路。
5. 汽车电子系统中的电池管理与保护模块。
此外，它还被用于 LED 驱动器、通信电源以及太阳能逆变器等场景。
SUD23N06L-31-GE3
IRFZ44N
FDP5500
STP23NF06
