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SUD09P10-195-GE3 发布时间 时间:2025/6/10 16:58:50 查看 阅读:9

SUD09P10-195-GE3 是一款高性能的肖特基二极管,采用 TO-263 封装形式。该器件以其低正向电压降和快速反向恢复时间著称,适用于高频开关电源、DC-DC 转换器、续流二极管等应用领域。其出色的效率和可靠性使其成为众多电子设计中的理想选择。

参数

最大正向电流:2A
  峰值反向电压:100V
  正向压降:0.9V(典型值,If=2A)
  反向恢复时间:40ns
  结电容:25pF
  工作温度范围:-55℃至+175℃

特性

SUD09P10-195-GE3 的主要特性包括:
  1. 极低的正向电压降,有助于减少功耗并提高系统效率。
  2. 快速的反向恢复时间,非常适合高频应用环境。
  3. 高温适应性,能够在极端条件下稳定运行。
  4. 可靠的浪涌电流能力,确保在瞬态条件下的安全性。
  5. 采用标准的 TO-263 封装,便于安装与散热设计。

应用

这款肖特基二极管广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源中的整流和保护电路。
  2. DC-DC 转换器中的同步整流。
  3. 电机驱动电路中的续流路径。
  4. 太阳能逆变器和其他功率转换设备中的高效能量传递。
  5. 各种需要快速切换和低损耗的高频功率应用。

替代型号

SUD09P10-195-G, SUD09P10-195-GE, SS14

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SUD09P10-195-GE3参数

  • 标准包装2,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列TrenchFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C8.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C195 毫欧 @ 3.6A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.5V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs34.8nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1055pF @ 50V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线+接片),SC-63
  • 供应商设备封装TO-252,(D-Pak)
  • 包装带卷 (TR)
  • 其它名称SUD09P10-195-GE3TR