类型：N 沟道 MOSFET
　　最大漏源电压（Vds）：60V
　　最大栅源电压（Vgs）：±20V
　　最大连续漏极电流（Id）：14A（在 25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.045Ω @ Vgs=10V
　　功率耗散（Pd）：60W
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-220、DPAK 等

JX2N1304 的主要特性之一是其较低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低功率损耗并提高系统的整体效率。其 60V 的漏源电压额定值使其适用于多种中压功率应用，包括电源转换和负载管理。此外，该器件具有良好的热性能，能够在较高工作温度下稳定运行，增强了其在恶劣环境中的可靠性。
　　该 MOSFET 还具备快速开关特性，适用于高频开关电路，有助于减小外部滤波元件的尺寸并提高系统的响应速度。其栅极驱动电压范围宽，支持 4.5V 至 20V 的驱动电压，使其能够兼容多种驱动电路设计，包括微控制器和专用驱动 IC。
　　从制造工艺来看，JX2N1304 通常采用先进的沟槽式 MOSFET 技术，提升了电流承载能力和导通性能。同时，内置的体二极管可提供反向电流保护，适用于电感性负载的应用场景。

JX2N1304 主要应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中作为主开关或同步整流器。
　　2. DC-DC 转换器，如降压（Buck）或升压（Boost）电路。
　　3. 电池管理系统（BMS），用于控制充放电路径。
　　4. 电机驱动和 H 桥电路中的功率开关。
　　5. 工业自动化设备中的负载开关控制。
　　6. 电动车、储能系统中的功率管理模块。
　　7. LED 驱动电源及高亮度照明系统。

IRFZ44N, FQP14N60C, STP14NK60Z, FDPF14N60