PZU2.7B1,115 时间：2025/9/14 4:44:42 阅读：6

PZU2.7B1,115 是一款由NXP Semiconductors（恩智浦半导体）生产的齐纳二极管（Zener Diode），主要用于电压调节和保护电路中的基准电压源。该器件的标称齐纳电压为2.7V，适用于低电压稳压应用。该器件采用SOD323封装，适合表面贴装技术（SMT），广泛用于便携式电子设备、电源管理电路和信号调节电路中。

参数

类型：齐纳二极管
　　标称齐纳电压：2.7V
　　最大齐纳电流：100mA
　　最大耗散功率：300mW
　　工作温度范围：-65°C 至 150°C
　　存储温度范围：-65°C 至 150°C
　　封装类型：SOD323（小型表面贴装）
　　引脚数：2
　　最大动态阻抗（Zzt）：50Ω
　　最大反向漏电流（IR）@ VR：100nA @ 1V

特性

PZU2.7B1,115 的主要特性之一是其稳定的齐纳电压输出，能够在较宽的温度范围内保持精确的2.7V电压。该器件的动态阻抗较低，有助于在负载变化时维持输出电压的稳定性，同时其低漏电流特性使其适用于对功耗敏感的应用。此外，该齐纳二极管具备良好的温度稳定性和长期可靠性，适合用于精密电子设备中的电压参考或过压保护电路。
　　另一个显著特性是其紧凑的SOD323封装，使其非常适合用于空间受限的便携式电子产品，如智能手机、平板电脑、可穿戴设备以及各类传感器模块。该封装形式也支持自动化的SMT组装流程，提高了生产效率。
　　该器件的功耗控制良好，最大耗散功率为300mW，能够在有限的散热条件下稳定运行。其工作温度范围宽广，从-65°C到150°C，确保了在极端环境下的可靠性。

应用

PZU2.7B1,115 主要用于需要精确电压参考或稳压功能的电子系统中。典型应用包括电源管理单元中的电压调节、ADC/DAC参考电压源、电池供电设备中的低电压检测、接口电路的电平转换保护以及各类模拟信号调理电路。由于其低电压特性和SMT封装，该器件在便携式消费电子产品、工业控制系统、汽车电子模块以及通信设备中均有广泛应用。
　　例如，在锂电池管理系统中，它可以作为电压参考用于监测电池电压是否处于安全范围内。在微控制器系统中，可用于提供稳定的参考电压或保护输入引脚免受静电放电（ESD）损害。此外，在低功耗传感器节点中，该齐纳二极管可用于构建简单的稳压电路，确保传感器信号采集的稳定性。