时间：2025/9/1 11:18:06
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H9TCNNN8LDMMPR-NDM是一款由SK Hynix（海力士）公司生产的高密度、高性能的DRAM（动态随机存取存储器）芯片，主要用于移动设备和嵌入式系统中。该芯片采用先进的制造工艺，提供大容量存储和低功耗特性，适用于智能手机、平板电脑、便携式电子产品等对功耗和体积有严格要求的应用场景。该型号属于LPDDR4（低功耗双倍数据速率第4代）系列，具有高速数据传输能力和节能优势。
类型：DRAM
内存类型：LPDDR4
容量：8Gb
数据速率：3200Mbps
电压：1.1V
封装类型：BGA
引脚数：134
工作温度：-40°C ~ +85°C
H9TCNNN8LDMMPR-NDM具备多项先进特性，包括高数据传输速率、低功耗设计、紧凑的封装尺寸和出色的稳定性。其LPDDR4技术使得该芯片能够在更低的电压下运行，从而显著降低设备的整体功耗，延长电池寿命。此外，该芯片采用先进的BGA（球栅阵列）封装技术，确保了高可靠性和良好的散热性能。该芯片支持多银行操作，允许并行处理多个内存请求，提高系统的整体性能。其内置的自动刷新和自刷新功能可在不使用时降低功耗，同时保持数据完整性。该芯片还具备良好的兼容性，能够与多种主控器和处理器无缝集成。
H9TCNNN8LDMMPR-NDM广泛应用于移动通信设备、高端智能手机、平板电脑、嵌入式计算系统、便携式多媒体设备以及需要高性能内存解决方案的其他电子产品。由于其低功耗与高带宽特性，该芯片特别适用于需要长时间续航和快速数据处理能力的设备。在图像处理、视频播放、多任务处理等高负载应用场景中，该芯片能够提供稳定且高效的内存支持。
H9HCNNN8LDMCUR-NDM，H9HKNNN8LDMKUR-NDM，H9HPNNN8LDMRUR-NDM
