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SUB85N03-07P 发布时间 时间:2025/6/6 18:50:07 查看 阅读:5

SUB85N03-07P是一款高性能的N沟道功率MOSFET,广泛应用于各种开关电源、电机驱动、负载切换和DC-DC转换器等电路中。该器件采用了先进的制造工艺,具有低导通电阻、高电流能力和快速开关速度等特点。它适合在要求高效能、低功耗的应用场景中使用。

参数

型号:SUB85N03-07P
  类型:N沟道功率MOSFET
  封装:TO-220
  Vds(漏源极电压):30V
  Rds(on)(导通电阻):8.5mΩ
  Id(连续漏极电流):69A
  Vgs(栅源极电压):±20V
  f(工作频率):1MHz
  结温范围:-55℃至+175℃

特性

SUB85N03-07P的主要特性包括:
  1. 极低的导通电阻(Rds(on)),可有效降低导通损耗,提高系统效率。
  2. 高电流处理能力,最大支持69A连续漏极电流,适用于大功率应用。
  3. 快速开关速度,能够满足高频开关应用需求。
  4. 强大的热性能表现,能够在较宽的温度范围内稳定工作。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全可靠。
  6. 提供优异的抗静电能力(ESD保护),增强了产品的耐用性。

应用

该MOSFET主要应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)和DC-DC转换器中的开关元件。
  2. 电动工具、家用电器和工业设备中的电机驱动控制。
  3. 各类负载切换电路,如电池管理系统中的保护电路。
  4. 汽车电子系统,例如启动停止系统、LED照明驱动等。
  5. 其他需要高效能功率管理的应用场景。

替代型号

IRFZ44N
  FDP58N06L
  STP55NF06L

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SUB85N03-07P参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类MOSFET
  • 晶体管极性N-Channel
  • 汲极/源极击穿电压30 V
  • 闸/源击穿电压+/- 20 V
  • 漏极连续电流85 A
  • 电阻汲极/源极 RDS(导通)4.3 mOhms
  • 配置Single
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 安装风格SMD/SMT
  • 封装 / 箱体TO-263-3
  • 封装Tube
  • 下降时间105 ns
  • 最小工作温度- 55 C
  • 功率耗散3.75 W
  • 上升时间70 ns
  • 工厂包装数量800
  • 商标名TrenchFET
  • 典型关闭延迟时间50 ns