HMR105B7102MV-F 是一款基于巨磁阻(GMR)技术的线性霍尔效应传感器芯片。该器件能够提供与施加磁场强度成比例的高精度电压输出,适用于需要精确检测磁场变化的应用场景。其采用巨磁阻技术,相较于传统的霍尔元件,具有更高的灵敏度和更低的功耗。
该芯片内置信号调节电路和温度补偿功能,能够在宽温度范围内保持稳定性能。HMR105B7102MV-F 采用小型表面贴装封装,非常适合对空间要求较高的设计。
供电电压:3.3V ± 10%
工作温度范围:-40°C 至 +150°C
输出类型:模拟电压输出
灵敏度:5mV/Gs(典型值)
带宽:1kHz(典型值)
封装形式:SOT-23
静态电流:2mA(最大值)
HMR105B7102MV-F 的主要特性包括:
1. 巨磁阻技术提供高灵敏度和低噪声输出。
2. 内置温度补偿电路,确保在不同温度下的一致性。
3. 小型化封装适合紧凑型设计需求。
4. 高精度线性输出,适合精密磁场测量。
5. 宽工作温度范围,适合工业及汽车级应用。
6. 超低功耗设计,适合电池供电设备。
HMR105B7102MV-F 广泛应用于以下领域:
1. 磁场测量仪器。
2. 电机位置和速度检测。
3. 汽车电子中的角度和位置传感器。
4. 工业自动化中的非接触式开关。
5. 医疗设备中的磁场监控。
6. 消费类电子产品中的接近检测。
HMR105B7102MV-G, HMC1052, HMC1051