类型：硅整流二极管
　　最大正向电流：200mA
　　最大反向电压：300V
　　峰值正向浪涌电流：4A
　　正向压降：1.0V（最大值，在200mA时）
　　反向漏电流：5μA（最大值，在25℃时）
　　工作温度范围：-55℃～+150℃
　　存储温度范围：-55℃～+150℃
　　封装类型：SOD-123

1N5254D是一款性能稳定的硅整流二极管，适用于多种电源和整流应用。其主要特性包括高可靠性和长寿命、良好的热稳定性和耐冲击能力。该器件具有较低的正向压降，有助于提高能效并减少热量产生。此外，1N5254D具有较高的反向电压承受能力，可有效防止因电压突变而造成的损坏。其SOD-123封装形式适用于表面贴装工艺，便于自动化生产并节省PCB空间。
　　在电气特性方面，1N5254D在200mA正向电流下的正向压降最大为1.0V，这有助于降低功耗和提升系统效率。其反向漏电流在25℃时最大为5μA，确保了在高阻断状态下的稳定性。该二极管还具备较强的浪涌电流承受能力，峰值正向浪涌电流可达4A，使其能够在瞬态条件下保持正常工作。
　　1N5254D的封装设计提供了良好的散热性能，确保在较高工作温度下仍能保持稳定运行。其-55℃至+150℃的工作温度范围适用于多种工业和消费类电子产品。

1N5254D广泛应用于各种电子设备中，主要用于电源整流、反向极性保护以及电压钳位等电路中。其典型应用场景包括开关电源、AC/DC转换器、电池充电器、LED驱动电路和电机控制电路。此外，该器件也常用于信号检测和电压隔离等模拟电路设计中。由于其SOD-123封装的紧凑尺寸，1N5254D特别适合空间受限的设计，如便携式电子产品和嵌入式系统。

1N5254B, 1N5254C, 1N5254E