TF16N2.00TE 时间：2025/12/26 22:25:23 阅读：10

TF16N2.00TE是一款由Vishay Semiconductors生产的表面贴装Trench-MOS场效应晶体管（MOSFET），采用先进的沟槽技术制造，专为高效率、高密度电源管理应用设计。该器件封装在紧凑的PowerPAK SO-8L封装中，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适合在空间受限且对功耗敏感的应用中使用。TF16N2.00TE属于N沟道增强型MOSFET，广泛应用于DC-DC转换器、同步整流、负载开关以及电机控制等场景。得益于其优化的晶圆工艺和封装设计，该MOSFET在高频开关条件下仍能保持较低的开关损耗和导通损耗，有助于提升系统整体能效。此外，该器件符合RoHS环保标准，并具备良好的抗瞬态电流能力，能够在严苛的工作环境中稳定运行。

参数

类型：N沟道
　　极性：增强型
　　漏源电压（VDS）：20V
　　栅源电压（VGS）：±12V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：16A
　　脉冲漏极电流（IDM）：64A
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 4.5V：9.5mΩ
　　导通电阻（RDS(on)）@VGS = 2.5V：13.5mΩ
　　阈值电压（VGS(th)）：典型值1.2V，范围0.8V ~ 1.6V
　　输入电容（Ciss）：典型值920pF @ VDS=10V
　　输出电容（Coss）：典型值280pF @ VDS=10V
　　反向传输电容（Crss）：典型值70pF @ VDS=10V
　　栅极电荷（Qg）@4.5V：典型值8.5nC
　　开启延迟时间（td(on)）：典型值4ns
　　关断延迟时间（td(off)）：典型值15ns
　　上升时间（tr）：典型值20ns
　　下降时间（tf）：典型值8ns
　　工作结温范围：-55°C 至 +150°C
　　封装形式：PowerPAK SO-8L（双引脚散热焊盘）

特性

TF16N2.00TE采用Vishay先进的TrenchFET?技术，通过优化的沟槽结构显著降低了导通电阻与开关损耗之间的权衡，从而在低电压应用中实现卓越的功率转换效率。
　　其关键特性之一是极低的RDS(on)，在VGS = 4.5V时仅为9.5mΩ，即使在VGS低至2.5V时也能保持13.5mΩ的低阻状态，这使得它非常适合用于电池供电设备或需要逻辑电平驱动的场合，例如便携式电子产品中的负载开关或同步整流电路。
　　该器件的栅极电荷（Qg）非常低，典型值为8.5nC，有助于减少驱动电路的能量消耗并加快开关速度，从而降低动态损耗，提升系统在高频操作下的整体效率。
　　PowerPAK SO-8L封装不仅尺寸小巧（约5mm x 6mm），还集成了底部散热焊盘，能够有效将热量传导至PCB，显著改善热性能，避免因局部过热导致的可靠性下降问题。
　　此外，TF16N2.00TE具备良好的雪崩能量耐受能力和抗短路能力，在突发过载或瞬态工况下仍能保持稳定运行，增强了系统的鲁棒性。
　　该MOSFET还具有较低的输入与输出电容，Ciss典型值为920pF，Coss为280pF，有助于减少高频下的容性损耗，并提升开关响应速度。
　　器件符合JEDEC标准的MSL3等级，支持潮湿敏感环境下的回流焊接工艺，并通过了AEC-Q101车规级可靠性认证，适用于汽车电子等高要求领域。
　　总体而言，TF16N2.00TE凭借其高性能参数、紧凑封装和高可靠性，成为现代高效电源管理系统中理想的功率开关选择。

应用

TF16N2.00TE广泛应用于多种高效率电源管理场景，尤其适用于低压大电流的开关电源拓扑结构。
　　在同步整流式DC-DC转换器中，该MOSFET常被用作下管或上管，替代传统肖特基二极管以大幅降低导通损耗，提高转换效率，特别适用于笔记本电脑、平板电脑和通信基站中的POL（Point-of-Load）电源模块。
　　在电池管理系统（BMS）和手持设备中，TF16N2.00TE可作为负载开关或电源路径控制器，利用其低RDS(on)和快速开关特性来实现高效的电源切换与节能管理。
　　此外，该器件也适用于电机驱动电路，如小型直流电机或步进电机的H桥驱动，能够提供足够的电流驱动能力并减少发热。
　　在热插拔控制器、USB电源开关及LED驱动电路中，TF16N2.00TE因其低静态功耗和高开关速度而表现出色。
　　由于其符合AEC-Q101标准，该器件也可用于汽车电子系统，例如车身控制模块、车载信息娱乐系统和辅助电源单元。
　　工业自动化设备中的传感器供电、PLC模块和嵌入式控制系统同样可以受益于该MOSFET的小尺寸和高可靠性。
　　总之，凡是在20V以下工作电压、追求高效率与小体积的设计中，TF16N2.00TE都是一个极具竞争力的解决方案。