时间：2025/6/5 11:51:54
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FM5N50是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），广泛应用于功率开关、电机驱动、电源管理等领域。该器件采用TO-220封装，具备低导通电阻和高效率的特点，能够有效降低功耗并提升系统性能。
FM5N50的高雪崩击穿能力和快速开关特性使其非常适合要求严苛的应用场景。同时，其耐压能力达到500V以上，确保在高压环境下稳定运行。
最大漏源电压：500V
最大栅源电压：±20V
持续漏极电流：1.7A
导通电阻：3.6Ω
总功耗：85W
工作结温范围：-55℃至+150℃
FM5N50具有以下显著特性：
1. 高耐压能力，适合高压应用环境。
2. 低导通电阻，减少功率损耗，提高能效。
3. 快速开关特性，有助于改善动态性能。
4. 良好的热稳定性，能够在宽温度范围内可靠工作。
5. TO-220标准封装，便于安装和散热设计。
6. 支持多种保护功能，如过流保护和短路保护。
FM5N50适用于多种工业及消费类电子设备：
1. 开关电源(SMPS)中的功率开关元件。
2. 电机驱动电路中的开关元件。
3. 逆变器和转换器中的关键组件。
4. LED驱动器和其他负载控制电路。
5. 各种需要高效功率切换的场景。
IRF540N
STP17NF50
FQP17N50
