FV32N223J102EGG 是一款高性能的 N 沟道增强型 MOSFET,适用于需要高效率和低导通电阻的应用场景。该器件采用先进的制造工艺,具备出色的电气性能和可靠性,广泛应用于开关电源、电机驱动、负载切换等电力电子领域。
其封装形式为 TO-263(D2PAK),具有良好的散热特性和紧凑的安装尺寸,便于系统集成。
型号:FV32N223J102EGG
类型:N沟道增强型MOSFET
Vds(漏源极电压):30 V
Rds(on)(导通电阻,典型值):2.5 mΩ
Id(连续漏极电流):170 A
Vgs(th)(栅极开启电压):2.2 V~4 V
Qg(总栅极电荷):10 nC
EAS(雪崩能量):4 J
工作温度范围:-55 ℃~175 ℃
封装:TO-263(D2PAK)
FV32N223J102EGG 具有以下显著特点:
1. 极低的导通电阻 Rds(on),能够有效降低导通损耗,提高系统效率。
2. 高 Id 能力支持大电流应用需求。
3. 宽工作温度范围确保其在极端环境下的可靠运行。
4. 小巧的 D2PAK 封装提供良好的热性能,并简化 PCB 设计。
5. 较低的栅极电荷 Qg 减少开关损耗,适合高频开关应用。
6. 符合 RoHS 标准,环保且满足现代工业要求。
这款 MOSFET 的设计使其成为高效能功率转换的理想选择,同时兼顾了成本与性能之间的平衡。
FV32N223J102EGG 主要应用于以下领域:
1. 开关电源(SMPS)中的主开关管或同步整流管。
2. 电动工具和家用电器中的电机驱动电路。
3. 工业自动化设备中的负载切换和保护。
4. 大功率 LED 照明驱动器。
5. 新能源汽车及混合动力汽车的电池管理系统(BMS)中作为功率开关元件。
6. 各种 DC-DC 转换器和逆变器中的关键组件。
由于其强大的电流处理能力和较低的导通电阻,该器件非常适合于需要高效能量传输和快速开关响应的应用场合。
FV32N223J102EFG, IRF3205, AO3205