SUB70N06-18 时间：2025/6/11 21:15:20 阅读：9

SUB70N06-18是一款N沟道增强型MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），属于功率半导体器件，广泛应用于开关电源、DC-DC转换器、电机驱动等电路中。该型号以高效率和低导通电阻为特点，能够有效降低功耗并提高系统性能。
　　SUB70N06-18采用了先进的制造工艺，具备出色的电气特性和可靠性。其小型化封装设计使得它非常适合对空间要求较高的应用环境，同时它的低导通电阻也使其成为高效能电路的理想选择。

参数

最大漏源电压：60V
　　连续漏极电流：25A
　　导通电阻：3.5mΩ
　　栅极电荷：45nC
　　反向恢复时间：35ns
　　工作温度范围：-55℃至+175℃
　　封装形式：TO-220

特性

SUB70N06-18的主要特性包括：
　　1. 极低的导通电阻，有助于减少功率损耗，提升整体效率。
　　2. 高击穿电压，可承受高达60V的工作电压，适用于多种电压等级的应用场景。
　　3. 大电流处理能力，支持25A的连续漏极电流，满足高性能需求。
　　4. 快速开关速度，具有较低的反向恢复时间和栅极电荷，适合高频开关应用。
　　5. 宽广的工作温度范围，能够在极端环境下稳定运行，适应工业级和汽车级应用的需求。
　　6. TO-220封装形式，提供良好的散热性能和易于安装的特点。

应用

SUB70N06-18广泛应用于以下领域：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关元件。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流或主开关。
　　3. 电机驱动电路中的功率控制器件。
　　4. 工业自动化设备中的负载切换与保护。
　　5. 汽车电子系统中的电源管理和电机控制。
　　6. 各类消费电子产品中的高效能功率管理模块。