CM200E3Y-12H是一款由富士电机(Fuji Electric)生产的IGBT模块,属于其高性能功率半导体产品线的一部分。该模块集成了IGBT(绝缘栅双极型晶体管)和反并联二极管,采用先进的封装技术,适用于高电压、大电流的工业电力电子应用。CM200E3Y-12H中的型号编码通常表示:CM代表模块系列,200表示额定电流约为200A,E3代表第3代IGBT芯片技术,Y可能指内部电路配置(如单管或特定拓扑),12H表示额定电压为1200V。该模块广泛应用于逆变器、不间断电源(UPS)、感应加热、电机驱动和太阳能逆变器等高可靠性要求的场合。得益于富士电机在功率器件领域的深厚积累,CM200E3Y-12H具备优异的开关性能、热稳定性和长期运行可靠性,适合在严苛工作环境下持续运行。此外,该模块设计符合国际安全标准,具有良好的绝缘性能和散热能力,便于集成到各种功率转换系统中。
类型:IGBT模块
额定集电极电流(Ic):200A
集电极-发射极击穿电压(Vces):1200V
栅极-发射极电压(Vge):±20V
饱和导通电压(Vce(sat) @ Ic=200A, Vge=15V):约1.85V
二极管正向电压(Vf):约1.7V
开关频率:典型值可达20kHz以上
工作结温范围(Tj):-40°C 至 +150°C
存储温度范围(Tstg):-40°C 至 +150°C
隔离电压(Visol):2500VAC(1分钟)
封装形式:2-in-1或半桥模块(具体以数据手册为准)
安装方式:螺栓式安装,带绝缘垫片或直接接触散热器
CM200E3Y-12H采用富士第三代IGBT芯片技术,显著优化了导通损耗与开关损耗之间的平衡,使其在高频开关应用中表现出更低的能量损耗和更高的系统效率。该模块内部芯片通过精细的光刻工艺和载流子注入增强技术,提升了载流子分布均匀性,从而改善了电流共享能力和热稳定性。其Vce(sat)较低,在满载条件下可有效减少导通期间的功率损耗,降低温升,延长模块寿命。同时,该模块具备出色的短路耐受能力,典型短路耐受时间可达10μs以上,能够在异常工况下提供足够的保护响应时间,提升系统安全性。模块内部结构采用先进的焊接和绑定工艺,确保在频繁热循环下仍保持高可靠性,适用于昼夜温差大或负载波动剧烈的应用环境。
该IGBT模块的封装设计兼顾电气隔离与散热性能,陶瓷基板(如Al2O3或AlN)提供优良的热传导和绝缘特性,结合铜底板结构,有助于快速将热量传递至外部散热器。引脚布局合理,支持低感母排连接,减少杂散电感对开关过程的影响,抑制电压尖峰和电磁干扰。此外,模块内置NTC热敏电阻(部分版本),可用于实时监测模块内部温度,实现过温保护和动态功率调节。整体设计符合RoHS环保要求,并通过UL、CE等国际认证,适用于全球市场。其高功率密度和紧凑结构使得系统设计更加灵活,特别适合空间受限但性能要求高的工业设备。
CM200E3Y-12H广泛应用于多种中高功率电力电子系统中。在工业电机驱动领域,它常用于交流变频器中作为主逆变桥臂,实现对三相异步电机的精确调速控制,适用于风机、泵类、压缩机和传送带等设备。在不间断电源(UPS)系统中,该模块承担DC-AC逆变功能,确保市电中断时负载仍能获得稳定交流电,广泛应用于数据中心、通信基站和医疗设备供电系统。在可再生能源领域,CM200E3Y-12H被用于光伏并网逆变器,将太阳能电池板产生的直流电高效转换为符合电网标准的交流电,支持清洁能源接入。
此外,该模块也适用于感应加热设备,如电磁炉、金属熔炼炉和热处理装置,利用高频逆变产生交变磁场,在金属工件内部感应涡流实现快速加热。在电焊机电源中,其快速开关能力有助于实现精确的电流波形控制,提高焊接质量和稳定性。由于其高可靠性和宽温度工作范围,该模块还可用于轨道交通辅助电源、电动汽车充电桩和储能系统等新兴领域,满足现代电力电子设备对高效、节能和智能化的综合需求。
2MBI200U4B-121
FF200R12KS4
CM200DY-12H