时间：2025/9/11 16:48:58
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SUB70N03-09B 是一款由东芝（Toshiba）生产的N沟道功率MOSFET，适用于高频率开关应用，具备低导通电阻和高效能特性，广泛用于电源管理、DC-DC转换器、电机控制以及汽车电子等领域。
类型：N沟道
最大漏极电流（ID）：70A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：9mΩ（最大值）
功率耗散（PD）：140W
工作温度范围：-55°C 至 +175°C
SUB70N03-09B 具备极低的导通电阻（RDS(on)），有效降低导通损耗，提高系统效率。该器件采用先进的沟槽式MOSFET技术，提供优异的热稳定性和高电流承载能力。此外，其封装设计支持良好的散热性能，适用于高频率开关应用，如DC-DC转换器、负载开关和电机驱动器。该MOSFET具备高雪崩耐量，确保在严苛工作环境下的可靠性。其栅极驱动电压范围宽，支持逻辑电平控制，适用于多种功率应用设计。
该器件通常采用D2PAK（TO-263）封装形式，便于表面贴装和自动组装工艺，适合大规模生产和应用。其快速开关特性可减少开关损耗，提高整体系统能效，适用于汽车电子、工业电源、服务器电源以及消费类电子产品中的功率管理模块。
SUB70N03-09B 主要应用于电源管理系统、DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统、电机驱动器、电源适配器、服务器电源、电信设备、汽车电子（如车载充电器、电动助力转向系统）等需要高效功率控制的场合。
IRF7473PBF, Si7473DP, FDP7473, AUIRF7473S
