时间：2025/7/7 17:10:50
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TFM-107-02-L-D-A-K-TR 是一款基于氮化镓（GaN）技术的高频功率晶体管，专为射频和微波应用设计。该器件采用表面贴装封装，具有出色的增益、输出功率和效率性能，适合于通信基站、雷达系统以及测试测量设备等高要求场景。
其设计优化了热性能和电气特性，能够支持更宽的工作频率范围，并在高负载条件下保持稳定运行。
型号：TFM-107-02-L-D-A-K-TR
类型：GaN 功率晶体管
封装：表面贴装（SMD）
工作频率范围：0.5 GHz 至 10 GHz
最大输出功率：50 W
增益：15 dB
电源电压：28 V
漏极电流：7 A
插入损耗：≤ 2.5 dB
驻波比：≤ 2.5:1
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
这款 GaN 功率晶体管具备高效率和高功率密度的特点，使其非常适合需要紧凑设计和高性能的应用场景。
1. 高频性能：支持高达 10 GHz 的工作频率范围，适用于多种射频应用。
2. 热管理优化：采用高效的散热设计，能够在高负载条件下维持较低的工作温度。
3. 高可靠性：经过严格的质量测试，确保在恶劣环境下的长期稳定性。
4. 小型化封装：表面贴装设计减少占用空间，方便集成到复杂电路中。
5. 宽带兼容性：可以覆盖多个频段，简化多频段系统的开发过程。
TFM-107-02-L-D-A-K-TR 主要用于以下领域：
1. 无线通信：包括 4G/5G 基站、点对点无线电通信系统。
2. 雷达系统：适用于气象雷达、空中交通管制雷达以及其他军用或民用雷达。
3. 测试与测量：用于信号发生器、频谱分析仪等高端测试设备。
4. 卫星通信：支持地面终端和卫星链路中的高功率放大功能。
5. 工业加热：如等离子体激发和感应加热等高频能量转换场景。
TFM-107-02-H-D-A-K-TR
TFM-105-02-L-D-A-K-TR
TFM-108-02-L-D-A-K-TR
