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STWA57N65M5 发布时间 时间:2025/6/16 17:13:00 查看 阅读:5

STWA57N65M5是由意法半导体(STMicroelectronics)生产的一款高压MOSFET器件,属于MDmesh技术系列。该器件采用N沟道增强型设计,适合用于高电压开关应用场合。其额定击穿电压为650V,最大连续漏极电流为57A(在25°C条件下),具备低导通电阻和优秀的开关性能。
  STWA57N65M5的典型应用场景包括开关电源、逆变器、电机驱动、不间断电源(UPS)、太阳能逆变器以及其他需要高效功率转换的领域。此外,它还具有出色的热稳定性和耐用性,可满足工业级应用的需求。

参数

额定电压:650V
  连续漏极电流:57A
  导通电阻:0.145Ω
  栅极电荷:90nC
  输入电容:1380pF
  总功耗:200W
  工作温度范围:-55°C至+175°C

特性

1. 采用先进的MDmesh M5技术,实现了低导通电阻和高效率。
  2. 出色的开关性能,能够显著降低开关损耗。
  3. 高雪崩能量能力,增强了器件的可靠性和鲁棒性。
  4. 具有快速恢复体二极管功能,适合高频应用。
  5. 符合RoHS标准,环保无铅封装。
  6. 提供卓越的热性能和电气稳定性,确保长期使用中的可靠性。
  7. 支持多种拓扑结构,例如降压、升压、半桥和全桥电路。

应用

1. 开关电源(SMPS)
  2. 工业电机驱动
  3. 太阳能逆变器
  4. 不间断电源(UPS)系统
  5. 电动车充电设备
  6. 高效功率转换模块
  7. 能量存储系统(ESS)
  8. 家用电器中的变频控制

替代型号

STGW50N65MD2, IRFP460, FDP18N65C4

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STWA57N65M5参数

  • 现有数量103现货
  • 价格1 : ¥85.62000管件
  • 系列MDmesh? V
  • 包装管件
  • 产品状态在售
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)650 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)42A(Tc)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)63 毫欧 @ 21A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)98 nC @ 10 V
  • Vgs(最大值)±25V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)4200 pF @ 100 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)250W(Tc)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型通孔
  • 供应商器件封装TO-247
  • 封装/外壳TO-247-3