STT8861是一款由STMicroelectronics(意法半导体)推出的功率MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)器件。该器件主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统,例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制电路等。STT8861采用N沟道增强型MOSFET结构,具备低导通电阻(RDS(on))、高电流承载能力和良好的热稳定性,使其在各种功率管理应用中具有出色的性能表现。
类型:N沟道增强型MOSFET
最大漏极电流(ID):10A
最大漏源电压(VDS):60V
导通电阻(RDS(on)):约8.5mΩ(典型值)
栅极阈值电压(VGS(th)):约2.5V
最大栅极电压:±20V
封装形式:PowerFLAT 5x6(表面贴装)
工作温度范围:-55°C至150°C
STT8861的主要特性之一是其极低的导通电阻,这有助于减少功率损耗,提高系统效率,并降低工作温度。该器件采用了先进的沟槽栅技术,以优化导通和开关性能之间的平衡。此外,STT8861还具备高电流承载能力,能够在持续高负载条件下稳定工作,适用于要求严苛的工业应用。
另一个重要特性是其封装形式,即PowerFLAT 5x6,这是一种小型化的表面贴装封装,具有良好的热管理能力,适合在空间受限的PCB布局中使用。该封装还支持高密度组装,便于自动化生产。
STT8861还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性,能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。其宽泛的工作温度范围(-55°C至150°C)使其适用于各种恶劣环境,如汽车电子、工业自动化和通信设备等。
STT8861广泛应用于多种功率电子系统中,尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电和管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及工业电源模块等。
在汽车电子领域,STT8861可用于车载充电系统、LED照明驱动、电动助力转向系统(EPS)以及其他车载功率管理模块。由于其良好的热稳定性和封装散热性能,特别适合在高温环境下运行。
在消费类电子产品中,该器件也常用于高效率的电源适配器、移动电源(充电宝)以及智能插座等设备的功率开关部分。
STT8861K5AG、STL8861、STL15N60M5、IPD65R950CFD7S