STT8861 时间：2025/7/22 7:45:28 阅读：8

STT8861是一款由STMicroelectronics（意法半导体）推出的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件。该器件主要用于高效率、高功率密度的电源转换系统，例如DC-DC转换器、负载开关、电池管理系统以及工业控制电路等。STT8861采用N沟道增强型MOSFET结构，具备低导通电阻（RDS(on)）、高电流承载能力和良好的热稳定性，使其在各种功率管理应用中具有出色的性能表现。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流（ID）：10A
　　最大漏源电压（VDS）：60V
　　导通电阻（RDS(on)）：约8.5mΩ（典型值）
　　栅极阈值电压（VGS(th)）：约2.5V
　　最大栅极电压：±20V
　　封装形式：PowerFLAT 5x6（表面贴装）
　　工作温度范围：-55°C至150°C

特性

STT8861的主要特性之一是其极低的导通电阻，这有助于减少功率损耗，提高系统效率，并降低工作温度。该器件采用了先进的沟槽栅技术，以优化导通和开关性能之间的平衡。此外，STT8861还具备高电流承载能力，能够在持续高负载条件下稳定工作，适用于要求严苛的工业应用。
　　另一个重要特性是其封装形式，即PowerFLAT 5x6，这是一种小型化的表面贴装封装，具有良好的热管理能力，适合在空间受限的PCB布局中使用。该封装还支持高密度组装，便于自动化生产。
　　STT8861还具备良好的抗雪崩能力和过热保护特性，能够在异常工作条件下提供更高的可靠性。其宽泛的工作温度范围（-55°C至150°C）使其适用于各种恶劣环境，如汽车电子、工业自动化和通信设备等。

应用

STT8861广泛应用于多种功率电子系统中，尤其是在需要高效能和高可靠性的场合。常见的应用包括DC-DC降压/升压转换器、同步整流器、电池充电和管理系统、负载开关控制、电机驱动电路以及工业电源模块等。
　　在汽车电子领域，STT8861可用于车载充电系统、LED照明驱动、电动助力转向系统（EPS）以及其他车载功率管理模块。由于其良好的热稳定性和封装散热性能，特别适合在高温环境下运行。
　　在消费类电子产品中，该器件也常用于高效率的电源适配器、移动电源（充电宝）以及智能插座等设备的功率开关部分。