MT18B681K101CT 是一款高性能的 DDR3L SDRAM(低电压同步动态随机存取存储器)芯片,主要应用于需要高效能、低功耗内存解决方案的设备中。DDR3L 是 DDR3 的一种低电压版本,工作电压为 1.35V,相较于标准的 DDR3(1.5V),能够显著降低功耗,同时保持与 DDR3 兼容的性能。
该型号属于 Micron Technology(美光科技)生产的 MT18 系列,采用先进的制造工艺,具有高密度和快速数据传输能力。其设计符合 JEDEC 标准规范,确保与其他硬件平台的良好兼容性。
容量:4Gb
组织方式:512M x 8
接口类型:DDR3L
工作电压:1.35V
数据速率:1600Mbps
封装形式:FBGA
引脚数:78-ball
工作温度范围:-40°C 至 +85°C
访问时间:CL=11
刷新周期:8192 refresh cycles/second
MT18B681K101CT 提供了多种关键特性和优势:
1. 高速数据传输:支持高达 1600Mbps 的数据速率,满足现代计算设备对带宽的需求。
2. 低功耗设计:1.35V 的工作电压显著降低了系统的能耗,延长了电池供电设备的续航时间。
3. 大容量存储:单颗芯片容量达到 4Gb,能够支持高密度的内存模块配置。
4. 高可靠性:通过严格的测试流程,确保在各种环境条件下稳定运行。
5. 广泛的工作温度范围:从 -40°C 到 +85°C 的温度适应能力,使其适用于工业及消费类应用。
6. 先进的封装技术:使用 FBGA 封装,提供更小的尺寸和更好的电气性能。
7. 符合 JEDEC 标准:保证与其他 DDR3L 设备的兼容性。
MT18B681K101CT 广泛应用于以下领域:
1. 消费电子:如笔记本电脑、平板电脑和其他便携式设备,因其低功耗和高性能特点非常适合此类产品。
2. 工业控制:用于工业自动化设备中,要求高可靠性和长时间运行。
3. 嵌入式系统:包括网络设备、安防监控、医疗设备等,这些系统通常需要高效的内存管理来支持实时处理任务。
4. 数据中心:作为服务器和存储设备中的内存组件,提供稳定的数据处理能力。
5. 物联网 (IoT):在物联网网关和边缘计算设备中发挥重要作用,支持多任务处理和大数据分析。
MT18B681K101D, MT18B681K101BT