STW47NM50 时间：2025/7/22 16:06:34 阅读：12

STW47NM50 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高性能N沟道功率MOSFET，主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术，具有低导通电阻和优异的开关性能，适用于电源管理、电机控制、逆变器和工业自动化系统等领域。

参数

类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（Vds）：500V
　　漏极电流（Id）：47A（25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：0.115Ω @ Vgs=10V
　　栅极电压（Vgs）：±20V
　　功率耗散（Ptot）：300W
　　封装形式：TO-247
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

特性

STW47NM50 具备多项卓越的电气和热性能特性。其导通电阻仅为0.115Ω，在高电流条件下可显著降低导通损耗，提高系统效率。该MOSFET的漏源电压额定值为500V，能够承受较高的电压应力，适用于中高压功率转换系统。此外，其最大漏极电流为47A，在适当的散热条件下可支持大功率负载。
　　这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术，优化了开关性能，减少了开关过程中的能量损耗，有助于提高系统整体效率并降低电磁干扰（EMI）。STW47NM50的栅极电压范围为±20V，提供了较高的驱动灵活性，并具备良好的抗过压能力。
　　在封装方面，该器件采用TO-247封装形式，具有良好的散热性能，适用于高功率密度设计。TO-247封装也便于在PCB上安装和散热片连接，确保器件在高负载条件下稳定运行。STW47NM50的工作温度范围为-55°C至+150°C，适用于各种严苛的工业环境，表现出优异的稳定性和可靠性。

应用

STW47NM50 广泛应用于各种电力电子系统中，如电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器和逆变器。其高电压和大电流能力使其成为工业自动化设备、UPS系统、太阳能逆变器和电焊设备中的理想选择。
　　在电源管理领域，STW47NM50常用于高效率开关电源（SMPS）中的主开关或同步整流器，能够有效提高电源转换效率并降低功耗。在电机控制应用中，该MOSFET可用于H桥驱动电路，实现对直流电机或步进电机的高效控制。
　　由于其优异的热性能和可靠性，STW47NM50也被广泛应用于新能源系统，如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。此外，在电焊设备中，该器件可作为主功率开关，承受高电流和高电压应力，提供稳定可靠的焊接输出。