STW47NM50 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高性能N沟道功率MOSFET,主要用于高功率开关应用。该器件采用先进的沟槽栅技术,具有低导通电阻和优异的开关性能,适用于电源管理、电机控制、逆变器和工业自动化系统等领域。
类型:N沟道MOSFET
漏源电压(Vds):500V
漏极电流(Id):47A(25°C)
导通电阻(Rds(on)):0.115Ω @ Vgs=10V
栅极电压(Vgs):±20V
功率耗散(Ptot):300W
封装形式:TO-247
工作温度范围:-55°C ~ +150°C
STW47NM50 具备多项卓越的电气和热性能特性。其导通电阻仅为0.115Ω,在高电流条件下可显著降低导通损耗,提高系统效率。该MOSFET的漏源电压额定值为500V,能够承受较高的电压应力,适用于中高压功率转换系统。此外,其最大漏极电流为47A,在适当的散热条件下可支持大功率负载。
这款MOSFET采用了先进的沟槽栅技术,优化了开关性能,减少了开关过程中的能量损耗,有助于提高系统整体效率并降低电磁干扰(EMI)。STW47NM50的栅极电压范围为±20V,提供了较高的驱动灵活性,并具备良好的抗过压能力。
在封装方面,该器件采用TO-247封装形式,具有良好的散热性能,适用于高功率密度设计。TO-247封装也便于在PCB上安装和散热片连接,确保器件在高负载条件下稳定运行。STW47NM50的工作温度范围为-55°C至+150°C,适用于各种严苛的工业环境,表现出优异的稳定性和可靠性。
STW47NM50 广泛应用于各种电力电子系统中,如电源供应器、DC-DC转换器、AC-DC整流器、电机驱动器和逆变器。其高电压和大电流能力使其成为工业自动化设备、UPS系统、太阳能逆变器和电焊设备中的理想选择。
在电源管理领域,STW47NM50常用于高效率开关电源(SMPS)中的主开关或同步整流器,能够有效提高电源转换效率并降低功耗。在电机控制应用中,该MOSFET可用于H桥驱动电路,实现对直流电机或步进电机的高效控制。
由于其优异的热性能和可靠性,STW47NM50也被广泛应用于新能源系统,如太阳能逆变器和储能系统中的功率转换模块。此外,在电焊设备中,该器件可作为主功率开关,承受高电流和高电压应力,提供稳定可靠的焊接输出。
STW47NM50N, STW47NM60, STW47N10NM5