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STU7NB100I 发布时间 时间:2025/7/22 5:44:47 查看 阅读:8

STU7NB100I是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET晶体管,专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用先进的技术,提供了优异的导通性能和快速的开关特性,适用于电源管理、工业自动化和汽车电子等多种应用场景。STU7NB100I封装在一个坚固的TO-220封装中,具备良好的热管理和机械强度,适合各种苛刻的环境条件。

参数

类型:N沟道增强型MOSFET
  最大漏极电流:7A
  最大漏源电压:100V
  最大栅源电压:±20V
  导通电阻(Rds(on)):约1.2Ω(典型值)
  工作温度范围:-55°C至+175°C
  封装类型:TO-220
  功耗:40W
  开启电压(Vgs(th)):2.1V至4V
  漏极电流在25°C下:7A

特性

STU7NB100I采用了STMicroelectronics先进的MOSFET技术,具有低导通电阻和高耐压能力,这使其在高负载条件下也能保持出色的性能。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗,提高了系统的整体效率。此外,该器件具有快速的开关速度,能够有效降低开关损耗,适用于高频开关应用。STU7NB100I的TO-220封装形式提供了良好的散热性能,确保在高功率操作时的稳定性。
  该MOSFET具有宽泛的工作温度范围,能够在极端温度条件下稳定工作。其栅极驱动要求较低,使得其易于与常见的驱动电路兼容。此外,STU7NB100I具备良好的短路耐受能力,能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏,提高了系统的可靠性。
  该器件还具有较高的热稳定性,能够在高功耗应用中保持较长的使用寿命。STU7NB100I在设计上优化了电磁干扰(EMI)性能,减少了开关过程中产生的噪声,有助于满足严格的电磁兼容性(EMC)要求。

应用

STU7NB100I广泛应用于多种高电压和高电流场景,包括但不限于开关电源(SMPS)、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。在工业自动化系统中,该MOSFET可用于控制大功率负载,如加热元件和电动机。此外,STU7NB100I也适用于汽车电子系统,如车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制单元。由于其优异的热管理和高可靠性,该器件也可用于不间断电源(UPS)和太阳能逆变器等新能源应用。

替代型号

STP7NB100Z, STU7NK100Z, IRFZ44N, FDPF7N10

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