STU7NB100I 时间：2025/7/22 5:44:47 阅读：9

STU7NB100I是一款由STMicroelectronics制造的功率MOSFET晶体管，专为高电压和高电流应用而设计。该器件采用先进的技术，提供了优异的导通性能和快速的开关特性，适用于电源管理、工业自动化和汽车电子等多种应用场景。STU7NB100I封装在一个坚固的TO-220封装中，具备良好的热管理和机械强度，适合各种苛刻的环境条件。

参数

类型：N沟道增强型MOSFET
　　最大漏极电流：7A
　　最大漏源电压：100V
　　最大栅源电压：±20V
　　导通电阻（Rds(on)）：约1.2Ω（典型值）
　　工作温度范围：-55°C至+175°C
　　封装类型：TO-220
　　功耗：40W
　　开启电压（Vgs(th)）：2.1V至4V
　　漏极电流在25°C下：7A

特性

STU7NB100I采用了STMicroelectronics先进的MOSFET技术，具有低导通电阻和高耐压能力，这使其在高负载条件下也能保持出色的性能。其低导通电阻减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统的整体效率。此外，该器件具有快速的开关速度，能够有效降低开关损耗，适用于高频开关应用。STU7NB100I的TO-220封装形式提供了良好的散热性能，确保在高功率操作时的稳定性。
　　该MOSFET具有宽泛的工作温度范围，能够在极端温度条件下稳定工作。其栅极驱动要求较低，使得其易于与常见的驱动电路兼容。此外，STU7NB100I具备良好的短路耐受能力，能够在短时间内承受较大的电流冲击而不损坏，提高了系统的可靠性。
　　该器件还具有较高的热稳定性，能够在高功耗应用中保持较长的使用寿命。STU7NB100I在设计上优化了电磁干扰（EMI）性能，减少了开关过程中产生的噪声，有助于满足严格的电磁兼容性（EMC）要求。

应用

STU7NB100I广泛应用于多种高电压和高电流场景，包括但不限于开关电源（SMPS）、DC-DC转换器、电机控制、负载开关和电池管理系统。在工业自动化系统中，该MOSFET可用于控制大功率负载，如加热元件和电动机。此外，STU7NB100I也适用于汽车电子系统，如车载充电器、电池管理系统和电动车辆的功率控制单元。由于其优异的热管理和高可靠性，该器件也可用于不间断电源（UPS）和太阳能逆变器等新能源应用。