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IRF9332TRPBF 发布时间 时间:2025/6/21 16:47:59 查看 阅读:3

IRF9332TRPBF 是一款由 Vishay 公司生产的 N 沟道功率场效应晶体管(MOSFET),采用 TO-252 (DPAK) 封装形式。该器件具有较低的导通电阻和较高的电流能力,适用于多种电源管理应用,如开关电源、DC-DC 转换器、电机驱动等场景。

参数

最大漏源电压:40V
  最大漏极电流:7.8A
  导通电阻(典型值):12mΩ
  栅极电荷:3.9nC
  总功耗:16W
  工作温度范围:-55℃ 至 +150℃

特性

IRF9332TRPBF 具有低导通电阻的特点,可以显著减少功率损耗,提高效率。
  它还具备快速开关速度,有助于降低开关损耗,并允许在高频应用中使用。
  TO-252 封装提供良好的散热性能,适合紧凑型设计需求。
  此外,该器件经过优化以确保高可靠性和稳定性,能够在恶劣的工作环境下保持正常运行。
  其栅极阈值电压较低,便于与逻辑电路兼容,简化了驱动电路设计。

应用

IRF9332TRPBF 广泛应用于各种电力电子设备中,包括但不限于以下领域:
  1. 开关模式电源(SMPS)
  2. 降压或升压 DC-DC 转换器
  3. 电机控制和驱动
  4. 电池管理系统
  5. 逆变器和不间断电源(UPS)
  6. 各种工业自动化控制系统
  由于其出色的电气特性和封装优势,此 MOSFET 成为许多高性能应用的理想选择。

替代型号

IRF9331, IRF9333

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IRF9332TRPBF参数

  • 标准包装4,000
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C9.8A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C17.5 毫欧 @ 9.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)2.4V @ 25µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs41nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds1270pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.5W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装带卷 (TR)