时间：2025/6/4 18:06:23
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IPP16CN10LG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺，具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能，广泛适用于各种电源管理及开关应用场合。
IPP16CN10LG 的设计使其能够在高频条件下提供高效的功率转换，同时其封装形式有助于优化散热表现，提升系统的整体可靠性。
最大漏源电压：100V
连续漏极电流：16A
导通电阻：3.5mΩ
栅极电荷：27nC
开关时间：ton=18ns, toff=15ns
工作温度范围：-55℃至+150℃
IPP16CN10LG 具备以下关键特性：
1. 极低的导通电阻（Rds(on)），在满载条件下可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力，适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性，支持长时间高负载运行。
4. 紧凑型封装设计，便于 PCB 布局和安装。
5. 符合 RoHS 标准，环保且可靠。
6. 提供卓越的电气性能与耐用性，确保系统长期稳定运行。
IPP16CN10LG 主要应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 中的高效功率转换。
2. 直流-直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池管理系统中的保护与切换功能。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 通信设备及消费电子产品的电源管理单元。
IPD16CN10LG, IRF16N10L
