IPP16CN10LG 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET。该器件采用先进的制程工艺,具有低导通电阻、高开关速度和出色的热性能,广泛适用于各种电源管理及开关应用场合。
IPP16CN10LG 的设计使其能够在高频条件下提供高效的功率转换,同时其封装形式有助于优化散热表现,提升系统的整体可靠性。
最大漏源电压:100V
连续漏极电流:16A
导通电阻:3.5mΩ
栅极电荷:27nC
开关时间:ton=18ns, toff=15ns
工作温度范围:-55℃至+150℃
IPP16CN10LG 具备以下关键特性:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),在满载条件下可显著降低功率损耗。
2. 高速开关能力,适合高频应用环境。
3. 良好的热稳定性,支持长时间高负载运行。
4. 紧凑型封装设计,便于 PCB 布局和安装。
5. 符合 RoHS 标准,环保且可靠。
6. 提供卓越的电气性能与耐用性,确保系统长期稳定运行。
IPP16CN10LG 主要应用于以下领域:
1. 开关电源 (SMPS) 中的高效功率转换。
2. 直流-直流转换器中的同步整流。
3. 电机驱动电路中的功率控制。
4. 电池管理系统中的保护与切换功能。
5. 工业自动化设备中的功率调节模块。
6. 通信设备及消费电子产品的电源管理单元。
IPD16CN10LG, IRF16N10L