类型：双路N沟道功率MOSFET
　　漏源电压（VDS）：30V
　　最大漏极电流（ID）：6A（单通道）
　　导通电阻（RDS(on)）：30mΩ（最大值）
　　栅极电荷（Qg）：14nC
　　工作温度范围：-55°C至150°C
　　封装形式：PowerFLAT 5x6
　　安装方式：表面贴装
　　功率耗散（PD）：2.5W

STSBF306采用先进的STripFET技术，提供了极低的导通电阻（RDS(on)），有助于减少导通损耗并提高能效。由于其双通道设计，可以在同一封装内实现两个独立的MOSFET功能，适用于负载共享或并联操作的应用。该器件的栅极电荷（Qg）较低，有助于减少开关损耗，从而提高整体系统的效率。此外，STSBF306具有优异的热性能，能够在高温环境下稳定运行，并具备良好的热稳定性，减少了过热失效的风险。
　　该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6，体积小巧，适合高密度PCB布局。其表面贴装设计支持自动化生产，提高了制造效率。STSBF306还具备良好的抗静电（ESD）保护能力，能够承受一定程度的静电放电，从而提高器件在实际应用中的可靠性。
　　该器件的工作温度范围为-55°C至150°C，适用于工业级和汽车级应用环境。其漏源电压为30V，最大漏极电流为6A，适用于中等功率的电源管理任务。STSBF306的导通电阻仅为30mΩ，能够有效减少功率损耗，提高整体系统的能效。

STSBF306广泛应用于多种电源管理系统，包括DC-DC转换器、负载开关、马达驱动器、电池管理系统（BMS）、工业自动化设备以及汽车电子系统。由于其双通道设计和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能和高可靠性的应用场景。例如，在DC-DC转换器中，STSBF306可用于同步整流，提高转换效率；在负载开关应用中，它可以用于控制多个负载的通断，实现节能管理；在马达驱动电路中，它能够提供高效的功率输出，确保马达平稳运行。
　　此外，STSBF306还可用于电池供电设备，如便携式电子设备、电动工具和无人机等，提供高效的电源切换和管理功能。在汽车电子系统中，该器件可用于车载充电系统、车身控制模块以及车载娱乐系统等，确保稳定的电源供应和高效能运行。

STSBF30N60DM2, STB16NF30, STD10NF30L