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SM8S33AHE3/2D 发布时间 时间:2025/4/28 17:30:17 查看 阅读:28

SM8S33AHE3/2D 是一款高性能的功率MOSFET芯片,主要应用于开关电源、电机驱动、DC-DC转换器以及其他需要高效功率管理的场景。该器件采用先进的制造工艺,具备低导通电阻和快速开关特性,能够有效降低功耗并提升系统效率。其封装形式通常为TO-220或TO-252,便于散热和安装。
  该型号中的'HE3/2D'可能代表特定的封装或性能等级,具体需参考厂商的技术手册。

参数

类型:N-Channel MOSFET
  最大漏源电压(Vds):60V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):10A
  导通电阻(Rds(on)):40mΩ(典型值)
  总功耗(Ptot):90W
  工作温度范围:-55℃至+150℃
  封装:TO-220, TO-252

特性

SM8S33AHE3/2D 具有以下显著特性:
  1. 低导通电阻:该器件在典型工作条件下具有非常低的Rds(on),可以有效减少导通损耗,从而提高整体系统效率。
  2. 快速开关速度:由于其优化的栅极电荷设计,SM8S33AHE3/2D 可以实现快速的开关切换,适合高频应用环境。
  3. 高可靠性:该器件能够在较宽的工作温度范围内保持稳定的性能,并且具有较高的抗雪崩能力。
  4. 紧凑型封装:支持多种标准封装形式,方便用户根据实际需求进行选择,同时简化了PCB布局设计。
  5. 低寄生电感:优化的内部结构减少了寄生效应,进一步提升了器件的开关性能和稳定性。
  这些特性使其非常适合用于高效率功率转换电路以及对热管理和空间有限制的应用场景。

应用

SM8S33AHE3/2D 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS):包括适配器、充电器和工业电源等。
  2. 电机驱动:如家用电器中的风扇、泵和其他小型电机控制。
  3. DC-DC转换器:适用于汽车电子、通信设备和消费类电子产品中的电压调节模块。
  4. 电池管理系统(BMS):用于电动汽车和储能系统的保护和能量管理。
  5. LED驱动器:提供高效稳定的电流输出以驱动大功率LED照明。
  6. 工业自动化:例如PLC控制器、传感器接口和其他工业级应用。
  凭借其优异的性能表现,SM8S33AHE3/2D 成为许多工程师在设计功率管理相关产品时的首选方案。

替代型号

SM8S33AHG2/2D, IRF540N, FDP5500

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SM8S33AHE3/2D参数

  • 制造商Vishay
  • 产品种类TVS 二极管 - 瞬态电压抑制器
  • 极性Unidirectional
  • 通道1 Channel
  • 钳位电压53.3 V
  • 工作电压33 V
  • 封装 / 箱体DO-218AB
  • 击穿电压36.7 V to 40.6 V
  • 端接类型SMD/SMT
  • 峰值浪涌电流124 A
  • 峰值脉冲功率耗散6600 W
  • 最大工作温度+ 175 C
  • 最小工作温度- 55 C
  • 封装Reel
  • 尺寸8.7 mm W x 13.7 mm L x 5 mm H
  • 系列SM8S
  • 工厂包装数量750