时间：2025/8/2 7:31:46
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PMN27XPE 是一款由 Nexperia（安世半导体）生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，广泛应用于电源管理和功率转换电路中。该器件采用先进的 Trench MOSFET 技术，具备低导通电阻（Rds(on)）、高效率和良好的热稳定性，适用于开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关和电机控制等场景。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：30V
栅源电压（Vgs）：±20V
连续漏极电流（Id）：18A
导通电阻 Rds(on)：@ Vgs=10V: 27mΩ，@ Vgs=4.5V: 45mΩ
功耗（Ptot）：40W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：TO-220AB、TO-263（D2PAK）
极性：N 沟道增强型
PMN27XPE 的核心特性之一是其低导通电阻，能够在高电流应用中显著降低功率损耗，提高整体系统效率。该器件在 Vgs=10V 时的 Rds(on) 仅为 27mΩ，在 Vgs=4.5V 时也仅上升至 45mΩ，显示出良好的栅极驱动兼容性，适用于多种控制器和驱动电路。
此外，PMN27XPE 采用高耐压设计，漏源击穿电压为 30V，确保在中等电压应用场景中的稳定性和可靠性。其栅源电压范围为 ±20V，具备良好的过压保护能力，避免因栅极电压波动导致的器件损坏。
PMN27XPE 主要应用于各类功率电子系统中，包括开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、负载开关、电机驱动电路、LED 照明驱动器、电池管理系统（BMS）以及工业控制设备。由于其具备高电流承载能力和低导通电阻特性，特别适合用于需要高效能、高可靠性的中低电压功率转换场景。此外，该器件在汽车电子系统中也广泛应用，例如车载充电器、电动助力转向系统（EPS）和车身控制模块等，能够有效提升系统能效和稳定性。
IRF3710, FDP3710, IPD90N30C3, PMN30XP, SiHF3710
