类型：N沟道
　　漏源电压（Vds）：650V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：10A（在TC=25°C时）
　　导通电阻（Rds(on)）：580mΩ（最大值）
　　功耗（Ptot）：74W
　　工作温度范围：-55°C至175°C
　　封装类型：TO-220FP
　　技术：STripFET F7
　　符合RoHS标准：是

STS65R580FS2 采用STMicroelectronics的先进STripFET F7技术，具备出色的电气性能和热管理能力。该器件的导通电阻仅为580mΩ，在650V高耐压条件下仍能保持优异的导电效率，从而降低功率损耗，提高系统整体能效。此外，该MOSFET具备快速开关特性，可有效减少开关损耗，适用于高频开关应用。其TO-220FP封装形式不仅提供了良好的散热性能，还支持通孔安装，便于在各种电源和功率电路中集成。STS65R580FS2还具备高雪崩耐受能力，能够在瞬态电压冲击下保持稳定运行，提升系统可靠性和耐用性。同时，该器件符合RoHS环保标准，适合用于现代绿色电子设备设计。
　　在可靠性方面，STS65R580FS2具有出色的热稳定性和长期工作寿命，能够适应严苛的工业环境。其栅极氧化层设计优化了栅极稳定性，降低了栅极漏电流，提高了抗干扰能力。此外，该MOSFET具备良好的并联能力，适用于需要多管并联以提高输出能力的应用场景。STS65R580FS2的优异性能使其成为高性能电源系统中的理想选择。

STS65R580FS2 主要用于各类功率转换和电源管理系统中，例如：
　　? 高效DC-DC转换器
　　? 工业电源和UPS系统
　　? 电机驱动和控制电路
　　? 电池管理系统（BMS）
　　? 负载开关和热插拔电路
　　? 电信和服务器电源
　　? 家用电器和工业自动化设备中的功率控制模块

STD65R580FS2、STW65R580FS2