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IRFU5410PBF 发布时间 时间:2023/3/7 14:06:30 查看 阅读:392

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

   


目录

概述

    类别:分离式半导体产品

    家庭:MOSFET,GaNFET - 单

    系列:HEXFET?

    FET 型:MOSFET P 通道,金属氧化物

    FET 特点:标准型

    开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C:205 毫欧 @ 7.8A, 10V

    漏极至源极电压(Vdss):100V

    电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C:13A

    Id 时的 Vgs(th)(最大):4V @ 250μA

    闸电荷(Qg) @ Vgs:58nC @ 10V

    在 Vds 时的输入电容(Ciss) :760pF @ 25V

    功率 - 最大:66W

    安装类型:通孔

    封装/外壳:IPak, TO-251, DPak, VPak (3 直引线 + 接片)

    包装:管件

    供应商设备封装:I-Pak

    其它名称:*IRFU5410PBF


资料

厂商
Infineon Technologies

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IRFU5410PBF参数

  • 标准包装75
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列HEXFET®
  • FET 型MOSFET P 通道,金属氧化物
  • FET 特点标准型
  • 漏极至源极电压(Vdss)100V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C13A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C205 毫欧 @ 7.8A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)4V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs58nC @ 10V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds760pF @ 25V
  • 功率 - 最大66W
  • 安装类型通孔
  • 封装/外壳TO-251-3 长引线,IPak,TO-251AB
  • 供应商设备封装I-Pak
  • 包装管件
  • 其它名称*IRFU5410PBF