时间：2025/5/9 13:24:41
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L1SS184LT1G 是一款高性能的 N 沟道增强型功率 MOSFET，采用先进的制程技术制造。该器件具有低导通电阻和快速开关特性，适合用于各种高效率电源转换应用，如 DC-DC 转换器、负载开关和电机驱动等场景。
这款 MOSFET 的封装形式为 SOT-23，体积小巧，便于在紧凑型设计中使用，同时提供卓越的电气性能和热性能。
最大漏源电压：30V
最大栅源电压：±12V
连续漏极电流：1.7A
导通电阻（典型值）：50mΩ
栅极电荷：4.6nC
开关速度：快速开关
工作温度范围：-55℃ 至 150℃
L1SS184LT1G 具有以下显著特点：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on)) 可减少传导损耗，提升系统效率。
2. 快速开关能力使其非常适合高频应用，能够降低开关损耗。
3. 小巧的 SOT-23 封装节省了 PCB 空间，同时具备良好的散热性能。
4. 高可靠性设计确保其能够在恶劣的工作环境下长期稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且易于集成到现代电子设计中。
L1SS184LT1G 广泛应用于以下领域：
1. 移动设备中的电源管理模块，如手机和平板电脑。
2. 便携式电子产品的负载开关。
3. 小功率 DC-DC 转换器和降压电路。
4. 电池供电设备中的保护电路。
5. 小型电机驱动和控制电路。
6. 各种消费类电子产品中的信号切换功能。
L1SS184LT1GTR, L1SS184LTDTR, BSS138, FDN340P
