类型：碳化硅MOSFET（SiC MOSFET）
　　漏源电压（Vds）：1900V
　　漏极电流（Id）：65A（Tc=25°C）
　　导通电阻（Rds(on)）：150mΩ（最大）
　　栅极电压范围：-5V ~ +20V
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C
　　封装形式：TO-247AC
　　短路耐受能力：有
　　雪崩能量：有

STS65R190DS2 的核心优势在于其碳化硅材料带来的卓越性能。首先，其导通电阻较低，能够在高电流下保持较低的导通损耗，提高系统效率。其次，该器件具有高达1900V的漏源击穿电压，适用于高压系统，提高了系统稳定性和安全性。此外，STS65R190DS2 拥有优异的热管理性能，能够在高温环境下稳定运行，减少对散热系统的依赖。
　　在开关性能方面，STS65R190DS2 具有快速的开关速度和较低的开关损耗，适用于高频开关应用，如DC-DC转换器、AC-DC整流器以及逆变器。同时，该器件具备良好的短路耐受能力，增强了其在恶劣工作条件下的可靠性。
　　该器件的栅极驱动电压范围较宽，支持-5V至+20V之间工作，便于与不同的驱动电路匹配，提高系统设计的灵活性。此外，其封装形式为TO-247AC，便于安装和散热，适用于高功率密度的设计需求。

STS65R190DS2 主要应用于高功率、高频率和高效率要求的电力电子系统中。常见的应用包括电动车充电器、工业电源、太阳能逆变器、储能系统、不间断电源（UPS）以及电机驱动器等。由于其高压高电流能力和优异的开关性能，该器件也适用于高压直流输电（HVDC）系统和轨道交通中的电力转换模块。
　　在电动车领域，STS65R190DS2 可用于车载充电机（OBC）和DC-DC变换器，提升能效和功率密度，延长续航里程。在可再生能源领域，该器件可用于光伏逆变器，实现更高的转换效率和更小的系统尺寸。此外，在工业自动化和智能电网系统中，STS65R190DS2 能够提供稳定的高压功率开关能力，满足现代电力电子系统对高性能器件的需求。

SiC MOSFET器件中，可作为替代型号的包括Cree/Wolfspeed的C3M0120100J（1200V, 100A），以及ROHM的SCT3045KL（1200V, 90A）。此外，Infineon的IMW120R045M1H（1200V, 80A）也可在特定应用中作为替代选项。