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STS5P3LLH6 发布时间 时间:2025/6/17 10:19:39 查看 阅读:3

STS5P3LLH6是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的瞬态电压抑制二极管(TVS二极管)。该元器件主要用于电路中的过压保护,例如防止雷击、静电放电(ESD)、电感负载开关和其他瞬态电压事件对敏感电子设备造成损害。它具有低电容特性,非常适合高速数据线路的保护应用。

参数

额定反向工作电压:5V
  最大击穿电压:6V
  峰值脉冲电流:3A
  箝位电压:7.6V
  结电容:0.4pF
  响应时间:1ps
  漏电流:1uA
  封装类型:SOD-323

特性

STS5P3LLH6具备以下关键特性:
  1. 低电容设计使其适合高速信号线路的保护。
  2. 极快的响应时间能够有效抑制瞬态电压威胁。
  3. 稳定的电气性能确保在各种环境下的可靠性。
  4. 小型化的封装便于在紧凑型设计中使用。
  5. 符合RoHS标准,环保且安全。
  6. 能够承受高达3A的峰值脉冲电流,保证了强大的过载能力。

应用

该型号广泛应用于需要高可靠性和快速响应保护的领域,包括但不限于:
  1. USB接口保护。
  2. 高速数据通信线路防护。
  3. 移动设备和消费类电子产品中的ESD保护。
  4. 工业自动化设备的输入输出端口保护。
  5. 汽车电子系统的瞬态电压防护。
  6. 无线通信模块的射频前端保护。

替代型号

STM21AS6B1TR, PESD5V0X1BAB

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STS5P3LLH6参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1 : ¥7.71000剪切带(CT)2,500 : ¥3.28035卷带(TR)
  • 系列DeepGATE?, STripFET? H6
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • FET 类型P 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)30 V
  • 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)5A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
  • 不同 Id、Vgs 时导通电阻(最大值)56 毫欧 @ 2.5A,10V
  • 不同 Id 时 Vgs(th)(最大值)2.5V @ 250μA
  • 不同 Vgs 时栅极电荷?(Qg)(最大值)6 nC @ 4.5 V
  • Vgs(最大值)±20V
  • 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)(最大值)639 pF @ 25 V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)2.7W(Ta)
  • 工作温度150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装8-SOIC
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)