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STS5DNF20 发布时间 时间:2025/7/22 22:44:36 查看 阅读:7

STS5DNF20 是一款由STMicroelectronics(意法半导体)生产的N沟道功率MOSFET。该器件专为高效率电源管理和功率开关应用而设计,具有低导通电阻(Rds(on))、高电流能力和优异的热性能。STS5DNF20 采用先进的沟槽栅技术,能够在高频率和高负载条件下稳定工作,适用于各种电源转换系统,如DC-DC转换器、同步整流器、电池管理系统以及电机控制电路。其封装形式为PowerFLAT 5x6,具有良好的散热性能,适合表面贴装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  漏源电压(Vds):20V
  栅源电压(Vgs):±12V
  连续漏极电流(Id):5A(在Vgs=10V)
  导通电阻(Rds(on)):最大20mΩ(在Vgs=10V)
  功率耗散(Pd):4.8W
  工作温度范围:-55°C至150°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6

特性

STS5DNF20 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗并提高整体系统的能效。此外,该器件在低栅极驱动电压下仍能保持良好的性能,使其适用于低压电源管理应用。其先进的沟槽栅技术不仅提高了器件的开关速度,还降低了导通电阻,从而减少了功率损耗。
  该MOSFET的封装形式为PowerFLAT 5x6,具有优异的热管理能力,适合高密度PCB布局。由于其封装尺寸较小,因此在空间受限的设计中非常适用。此外,STS5DNF20 具有良好的抗雪崩能力,确保在高应力条件下的可靠运行。
  该器件的开关特性也非常优异,具有快速的上升和下降时间,减少了开关损耗,并提高了整体系统的效率。此外,其内部寄生电容(Ciss、Coss、Crss)优化,有助于降低高频开关应用中的电磁干扰(EMI)问题。STS5DNF20 的栅极驱动电压范围较宽,可在不同的控制电路中灵活使用。

应用

STS5DNF20 主要应用于电源管理系统,如DC-DC转换器、同步整流器、负载开关和电池管理系统。其低导通电阻和高效率特性使其非常适合用于便携式电子设备,如智能手机、平板电脑和笔记本电脑中的电源管理模块。此外,该器件也可用于电机驱动电路、LED照明驱动以及各种工业自动化设备中的功率控制部分。
  在汽车电子领域,STS5DNF20 可用于车载充电器、电池管理系统(BMS)以及各种车载电源转换系统。由于其高可靠性和良好的热性能,该器件也适用于环境温度较高的工业和汽车应用。

替代型号

Si2302DS、AO4406、FDMS86101、NVTFS5C471NL

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