型号：RB521S-Q1-H
　　类型：双肖特基二极管
　　封装形式：SOD-523
　　最大正向电流（IF）：100mA
　　最大反向电压（VR）：30V
　　正向电压降（VF）：典型值0.3V（IF=10mA时）
　　反向漏电流（IR）：最大100nA（VR=30V时）
　　工作温度范围：-55°C至+150°C
　　存储温度范围：-55°C至+150°C
　　引脚数量：3
　　极性：双阴极共阳极配置

RB521S-Q1-H具有多项优异的电气和物理特性，适合多种应用场景。
　　首先，其采用了肖特基势垒结构，使得正向压降（VF）非常低，通常在10mA的正向电流下仅为0.3V左右，从而显著降低了功耗并提高了系统效率。这一特性在低电压和高效率要求的便携式设备中尤为重要。
　　其次，该器件具有较低的反向漏电流（IR），在最大反向电压30V下，漏电流不超过100nA，确保了在高温环境下仍能保持稳定的性能。这对于高可靠性要求的应用，如汽车电子和工业控制系统，具有重要意义。
　　此外，RB521S-Q1-H采用了SOD-523小尺寸封装，占用PCB空间小，便于在紧凑型电路设计中使用。其额定工作温度范围为-55°C至+150°C，能够在极端温度条件下稳定运行，适用于严苛的工作环境。
　　该器件还具备良好的焊接性能和机械稳定性，符合RoHS环保标准，适用于无铅回流焊工艺，满足现代电子制造对环保和工艺兼容性的要求。
　　总体而言，RB521S-Q1-H是一款高性能、高可靠性的双肖特基二极管芯片，适用于多种电源管理和信号处理应用。

RB521S-Q1-H因其高性能和小尺寸封装，广泛应用于多个领域。在消费电子方面，该器件常用于手机、平板电脑、笔记本电脑等设备中的电源管理电路、电池充电保护电路以及信号线路的电压钳位保护。
　　在汽车电子系统中，RB521S-Q1-H可用于车载充电器、LED照明驱动、传感器信号调理以及车载信息娱乐系统的电源保护电路。其宽温度范围和高可靠性确保了在复杂汽车环境下的稳定运行。
　　在工业自动化和控制系统中，该器件适用于PLC（可编程逻辑控制器）、工业传感器、电机驱动保护电路以及各种电源转换模块，提供高效的电压隔离和反向保护功能。
　　此外，RB521S-Q1-H还可用于通信设备中的高频信号整流、数据线路保护以及DC-DC转换器中的续流二极管，确保系统的高效运行和长期稳定性。
　　由于其优异的电气性能和紧凑的封装形式，RB521S-Q1-H也适用于医疗电子设备、测试测量仪器和物联网（IoT）设备中的低功耗电路设计。

RB521S-30、RB521S-40、BAV99、BAT54、1N5819