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STS26N3LLH6 发布时间 时间:2025/7/22 9:11:43 查看 阅读:2

STS26N3LLH6 是意法半导体(STMicroelectronics)推出的一款高功率、高性能N沟道增强型MOSFET,采用先进的STripFET F6技术制造。该器件设计用于高效率功率转换应用,具有低导通电阻(RDS(on))和高耐压特性,适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化和汽车电子等场景。其封装形式为PowerFLAT 5x6 HV,具有良好的热管理和空间利用率,适用于表面贴装。

参数

类型:N沟道MOSFET
  最大漏极电流(ID):26A
  最大漏源电压(VDS):30V
  最大栅源电压(VGS):±20V
  导通电阻(RDS(on)):最大值为3.1mΩ @ VGS=10V
  工作温度范围:-55°C 至 175°C
  封装类型:PowerFLAT 5x6 HV

特性

STS26N3LLH6 采用STMicroelectronics的先进STripFET F6技术,具有非常低的导通电阻(RDS(on)),从而减少了导通损耗,提高了整体效率。
  该MOSFET具备高电流处理能力和优异的热稳定性,适用于高功率密度设计。
  其PowerFLAT 5x6 HV封装提供了出色的散热性能,并支持表面贴装工艺,便于自动化生产。
  此外,该器件的栅极驱动电压范围宽泛(通常为4.5V至20V),可与多种控制器或驱动IC兼容,提高了系统设计的灵活性。
  在极端温度条件下仍能保持稳定工作,适用于严苛的工业和汽车应用环境。

应用

STS26N3LLH6 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合,例如:
  高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统(BMS)、服务器电源、电信设备、工业自动化控制系统、汽车电子(如车载充电器OBC、DC-DC转换器)等。
  其低RDS(on)和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计的理想选择。

替代型号

IPD26N3LLH6, STD26N3LLH6, STL26N3LLH6

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STS26N3LLH6参数

  • 其它有关文件STS26N3LLH6 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™ VI, DeepGATE™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C26A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C4.4 毫欧 @ 13A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs40nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds4040pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-12348-6