时间：2025/7/22 9:11:43
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STS26N3LLH6 是意法半导体（STMicroelectronics）推出的一款高功率、高性能N沟道增强型MOSFET，采用先进的STripFET F6技术制造。该器件设计用于高效率功率转换应用，具有低导通电阻（RDS(on)）和高耐压特性，适用于如电源管理、DC-DC转换器、电机控制、工业自动化和汽车电子等场景。其封装形式为PowerFLAT 5x6 HV，具有良好的热管理和空间利用率，适用于表面贴装。
类型：N沟道MOSFET
最大漏极电流（ID）：26A
最大漏源电压（VDS）：30V
最大栅源电压（VGS）：±20V
导通电阻（RDS(on)）：最大值为3.1mΩ @ VGS=10V
工作温度范围：-55°C 至 175°C
封装类型：PowerFLAT 5x6 HV
STS26N3LLH6 采用STMicroelectronics的先进STripFET F6技术，具有非常低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通损耗，提高了整体效率。
该MOSFET具备高电流处理能力和优异的热稳定性，适用于高功率密度设计。
其PowerFLAT 5x6 HV封装提供了出色的散热性能，并支持表面贴装工艺，便于自动化生产。
此外，该器件的栅极驱动电压范围宽泛（通常为4.5V至20V），可与多种控制器或驱动IC兼容，提高了系统设计的灵活性。
在极端温度条件下仍能保持稳定工作，适用于严苛的工业和汽车应用环境。
STS26N3LLH6 主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，例如：
高效DC-DC转换器、同步整流器、负载开关、电机驱动器、电池管理系统（BMS）、服务器电源、电信设备、工业自动化控制系统、汽车电子（如车载充电器OBC、DC-DC转换器）等。
其低RDS(on)和高可靠性的特点使其成为高性能电源设计的理想选择。
IPD26N3LLH6, STD26N3LLH6, STL26N3LLH6
