WPMD2013 时间：2025/5/23 17:14:11 阅读：9

WPMD2013是一种高性能的功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）器件，广泛应用于开关电源、电机驱动和负载开关等场景。该器件采用了先进的制造工艺，具有低导通电阻和高效率的特点，能够显著降低功耗并提高系统的整体性能。
　　WPMD2013特别适合需要高效能和小封装的应用场合，其出色的热特性和电气性能使其成为许多功率转换应用的理想选择。

参数

型号：WPMD2013
　　类型：N-Channel MOSFET
　　最大漏源电压(Vds)：60V
　　最大栅源电压(Vgs)：±20V
　　连续漏极电流(Id)：80A
　　导通电阻(Rds(on))：4mΩ（典型值，Vgs=10V时）
　　总功耗(Ptot)：75W
　　工作结温范围(Tj)：-55°C 至 +175°C
　　封装形式：TO-220

特性

WPMD2013具有以下主要特性：
　　1. 极低的导通电阻（Rds(on)），有助于减少传导损耗，提高系统效率。
　　2. 高雪崩能量能力，增强了器件在异常条件下的鲁棒性。
　　3. 快速开关速度，支持高频操作，从而减小了外部元件的尺寸。
　　4. 良好的热性能，便于散热设计，提高了长期运行的可靠性。
　　5. 符合RoHS标准，环保且满足现代电子产品的合规要求。

应用

WPMD2013适用于多种电力电子应用领域，包括但不限于：
　　1. 开关电源（SMPS）中的功率开关。
　　2. DC-DC转换器中的同步整流器。
　　3. 电机控制和驱动电路。
　　4. 各类负载开关和保护电路。
　　5. 工业设备中的功率管理模块。
　　由于其优异的电气特性和封装形式，WPMD2013能够在高电流和高电压环境下稳定工作。