STS20N3LLH6 是一款由意法半导体(STMicroelectronics)生产的 N 沣道晶体管(N-Channel MOSFET)。该器件采用 TOLL 封装,具有低导通电阻和高电流处理能力,适合用于高效能开关应用。其设计主要针对需要低损耗、高性能的场合,例如电机驱动、负载开关、DC-DC 转换器以及电池保护电路等。
该 MOSFET 的特点是具备极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于减少功率损耗并提高整体效率。此外,STS20N3LLH6 还拥有快速开关速度和出色的热性能,能够适应严苛的工作环境。
型号:STS20N3LLH6
封装:TOLL
VDS(漏源电压):30V
Rds(on)(导通电阻):1.5mΩ(典型值,在 VGS=10V 时)
ID(连续漏极电流):184A(在 Ta=25°C 条件下)
VGSS(栅源电压):±20V
功耗:97W(最大值,在 Ta=25°C 时)
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装类型:表面贴装
引脚数量:4
STS20N3LLH6 的关键特性包括:
1. 极低的导通电阻(Rds(on)),能够显著降低传导损耗,从而提升系统效率。
2. 高电流处理能力,支持高达 184A 的连续漏极电流,满足大功率应用需求。
3. 快速开关性能,有助于降低开关损耗,适用于高频开关应用。
4. 热增强型 TOLL 封装设计,提供出色的散热性能,使器件能够在高温环境下稳定运行。
5. 宽工作温度范围,从 -55°C 到 +175°C,确保在极端条件下的可靠性。
6. 符合 RoHS 标准,环保且符合现代电子设计要求。
STS20N3LLH6 广泛应用于以下领域:
1. 电机驱动:用于控制直流无刷电机或步进电机的速度和方向。
2. 负载开关:作为高效开关元件,用于管理电源分配。
3. DC-DC 转换器:在降压、升压或升降压转换器中作为主开关 MOSFET。
4. 电池保护电路:用于防止过流、短路等情况对电池组造成损坏。
5. 通信电源:为电信设备提供稳定的电源供应。
6. 工业自动化:在工业控制系统中实现高效的功率管理。
STM32N3LLH6
IRF20N3LLH6