类型：N沟道MOSFET
　　漏源电压（VDS）：700V
　　连续漏极电流（ID）@25°C：7A
　　脉冲漏极电流（IDM）：28A
　　栅源电压（VGS）：±30V
　　导通电阻（RDS(on)）@10V VGS：0.23Ω
　　导通电阻（RDS(on)）@4.5V VGS：0.27Ω
　　栅极电荷（Qg）@10V VGS：55nC
　　输入电容（Ciss）：1100pF
　　输出电容（Coss）：240pF
　　反向恢复时间（trr）：45ns
　　阈值电压（Vth）：3V～4V
　　最大功耗（PD）：50W
　　工作结温范围（Tj）：-55°C～+150°C
　　封装类型：PowerDI5x6

7N20G-TN3-R采用安森美先进的超级结（Super Junction）MOSFET技术，显著降低了导通电阻与输出电容乘积（RDS(on) × COSS），从而在保持高击穿电压的同时大幅提升了器件的开关效率和功率密度。这种技术通过在漂移区交替掺杂P型和N型柱状结构，实现更高的掺杂浓度而不牺牲耐压能力，有效降低导通损耗。该器件在700V额定电压下仍能保持较低的RDS(on)，使其在反激式、正激式和LLC谐振转换器中表现出色，尤其适用于待机功耗要求严格的能效标准（如Energy Star、DoE Level VI）。
　　该MOSFET具有优化的栅极电荷（Qg）和米勒电荷（Qsw），有助于减少驱动损耗并提高高频工作的稳定性。低Qg意味着控制器所需的驱动电流更小，可配合低成本驱动IC使用，同时降低EMI干扰。其快速的开关速度配合较低的反向恢复电荷（Qrr）和反向恢复时间（trr），减少了体二极管在关断时的反向恢复损耗，特别适用于硬开关和准谐振（QR）拓扑。
　　PowerDI5x6封装不仅体积小巧，节省PCB空间，还具备优异的热传导性能，底部暴露焊盘可直接连接至PCB散热区域，有效降低热阻（RθJC），提升长期运行的可靠性。该封装无引脚设计也减少了寄生电感，有助于抑制电压尖峰和振荡，提高系统EMI表现。此外，器件内部结构经过优化，具备良好的抗雪崩能量能力（EAS），能够在负载突变或短路等异常工况下维持稳定，避免因过压击穿导致失效。综合来看，7N20G-TN3-R在效率、可靠性和封装性能之间实现了良好平衡，是现代高效电源设计的理想选择。

7N20G-TN3-R广泛应用于各类中高功率开关电源系统中，典型用途包括手机、笔记本电脑和家用电器的AC-DC适配器与充电器，特别是在追求小型化和高能效的设计中表现突出。其700V耐压能力使其适用于全球通用输入电压范围（85VAC～265VAC）的离线式电源，常用于反激变换器（Flyback Converter）的主开关管，支持连续导通模式（CCM）和不连续导通模式（DCM）等多种控制策略。此外，该器件也适用于LED恒流驱动电源，尤其是在高功率LED路灯、工业照明和商业照明系统中，能够满足高效率和长寿命的要求。
　　在工业电源领域，7N20G-TN3-R可用于辅助电源、DC-DC转换器前端开关以及小型UPS不间断电源系统。其出色的热性能和可靠性使其能在高温、高湿等恶劣环境中稳定运行。在家电应用中，如空调、洗衣机和微波炉的内置电源模块中，该MOSFET可作为PFC（功率因数校正）升压开关管或主DC-DC变换器的开关元件，帮助系统满足严格的电磁兼容（EMC）和能效法规要求。
　　此外，随着物联网设备和智能家居产品的普及，对高效、小型化电源的需求日益增长，7N20G-TN3-R凭借其紧凑封装和高性能特性，成为许多嵌入式电源模块的首选器件。在设计中搭配合适的驱动电路和散热管理方案，可充分发挥其性能优势，实现更高的功率密度和更低的温升。

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　　 "7N20G",
　　 "STP7NK60ZFP",
　　 "FQP7N80",
　　 "K20J70TD",
　　 "2SK3569"
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