时间：2025/7/10 13:09:20
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302R29N101JV4E 是一款高性能的功率 MOSFET 芯片，主要用于开关电源、电机驱动和 DC-DC 转换器等应用。该芯片采用先进的制程工艺制造，具备低导通电阻和高开关速度的特点，能够有效降低功耗并提高系统效率。
该型号中的各部分代码具有特定含义：302 表示产品系列，R29 表示标准导通电阻值（约 29 毫欧），N 表示 N 沟道类型，101 表示电压等级为 100V，JV4 表示封装形式，E 表示符合 RoHS 标准。
最大漏源电压：100V
最大连续漏电流：60A
最大栅极电荷：75nC
典型导通电阻：29mΩ
工作温度范围：-55℃ 至 +175℃
封装形式：TO-247
302R29N101JV4E 具有以下主要特性：
1. 极低的导通电阻 (Rds(on))，在大电流应用中可显著减少功耗。
2. 高速开关性能，能够支持高频开关应用，如开关电源和 DC-DC 转换器。
3. 强大的雪崩能力，确保在异常情况下具备更高的可靠性。
4. 支持宽泛的工作温度范围，适应恶劣环境下的稳定运行。
5. 符合 RoHS 环保标准，满足现代电子产品对环保的要求。
该芯片广泛应用于以下领域：
1. 开关电源 (SMPS) 和 AC-DC 转换器。
2. 电机驱动，包括电动车窗、电动座椅等汽车应用。
3. 工业设备中的 DC-DC 转换器。
4. 太阳能逆变器和储能系统的功率转换模块。
5. 各种需要高效功率控制的电子电路。
302R28N101JV4E, 30JV4E
