类型：NPN型射频功率晶体管
　　最大集电极电流（Ic）：1.2 A
　　最大集电极-发射极电压（Vce）：125 V
　　最大集电极-基极电压（Vcb）：125 V
　　最大功耗（Ptot）：120 W
　　工作温度范围：-65°C至+150°C
　　增益（hFE）：典型值为30至100
　　频率范围：最高可达500 MHz
　　输出功率：典型值为30 W（在450 MHz时）
　　封装类型：TO-247AB

RF3236SB 射频功率晶体管具有多项出色的电气和热性能特性，适用于高功率射频应用。其主要特性包括：
　　1. **高输出功率能力**：RF3236SB 在高频范围内（如450 MHz）可提供高达30 W的输出功率，使其适用于需要较高功率放大的应用，如射频加热和工业射频设备。
　　2. **高增益与线性度**：该晶体管具有良好的电流增益（hFE）特性，典型值在30至100之间，能够在较宽的频率范围内提供稳定的放大性能。其线性度表现良好，适合用于需要低失真的射频放大电路。
　　3. **优良的热稳定性**：采用TO-247AB封装，RF3236SB具备良好的散热性能，有助于提高器件在高功率工作条件下的稳定性和可靠性。
　　4. **宽工作电压范围**：该器件的最大集电极-发射极电压为125 V，能够适应较高的电源电压，适用于多种射频放大器拓扑结构，如A类、AB类和C类放大器。
　　5. **高可靠性**：Renesas在射频功率晶体管领域拥有丰富的经验，RF3236SB经过严格的工艺控制和测试，确保了其在苛刻环境下的稳定运行。
　　6. **适用于多种射频应用**：除了在工业设备中的广泛应用外，RF3236SB也适用于短波通信、射频测试设备和医疗射频系统等领域。

RF3236SB 主要用于以下类型的射频功率放大器系统：
　　1. **射频加热系统**：如工业射频加热设备，用于塑料热合、木材干燥、食品加工等。
　　2. **射频等离子体发生器**：用于半导体制造、材料处理和表面清洁等应用。
　　3. **射频焊接设备**：用于塑料焊接、包装密封等工业过程。
　　4. **射频测试与测量设备**：用于实验室或生产环境中的射频信号放大。
　　5. **通信基础设施**：包括射频中继器、业余无线电设备和专用无线通信系统。

BLF278, 2SC2879, 2SC1969A