时间：2025/9/1 15:19:56
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IS61VPS204836B-250M3L 是由 Integrated Silicon Solution, Inc.（ISSI）生产的一款高速、低功耗的同步静态随机存取存储器（Sync SRAM）。该器件属于高性能SRAM系列，适用于需要快速数据访问和高可靠性的应用场景。IS61VPS204836B-250M3L的容量为2M x 36位，采用同步接口，支持时钟频率高达250MHz，适用于通信、工业控制、网络设备等高端系统。
容量：2M x 36位
电源电压：2.3V - 3.6V
工作温度：-40°C 至 +85°C
最大访问频率：250MHz
数据输入/输出：36位
封装类型：165-TQFP
存取时间：2.5ns
工作模式：同步突发模式
输入/输出类型：LVTTL
封装尺寸：24mm x 24mm
IS61VPS204836B-250M3L是一款高性能的同步SRAM，具备高速访问能力和低功耗设计，适用于对性能和功耗都有较高要求的系统。该芯片支持同步时钟操作，能够与高速处理器或控制器进行无缝连接，从而提高系统的整体数据吞吐能力。其250MHz的工作频率意味着存取延迟极低，适合用于缓存、帧缓冲、数据缓冲等应用场景。
这款SRAM的2M x 36位配置提供了较高的数据宽度，适用于需要大量数据并行处理的系统，例如高速网络交换设备、嵌入式图像处理系统等。其宽电压范围（2.3V - 3.6V）增强了其在不同电源环境下的适应性，同时也提高了电源设计的灵活性。
IS61VPS204836B-250M3L采用165引脚TQFP封装，便于PCB布局并支持高密度电路设计。其封装尺寸为24mm x 24mm，适合空间受限的工业和通信设备。此外，该芯片具有良好的热稳定性和电气稳定性，适用于高温和高可靠性要求的工业现场环境。
IS61VPS204836B-250M3L 主要应用于需要高速数据访问和大容量存储的场合。典型应用包括网络路由器和交换机中的缓存存储器、工业控制系统的高速数据缓冲、图像处理设备的帧缓存、测试与测量仪器的数据暂存等。由于其支持同步突发模式和高速时钟频率，也适用于需要与高速处理器或FPGA进行紧密配合的系统设计。
CY7C1361KV18-250BZXC, IDT71V41636A-10B, IS61VPS204836B-250M3LI
