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STS11N3LLH5 发布时间 时间:2025/6/4 3:14:21 查看 阅读:9

STS11N3LLH5 是一款由 STMicroelectronics(意法半导体)生产的 N 沣道场效应晶体管(MOSFET)。该器件采用先进的制程技术制造,具有低导通电阻和快速开关特性。其主要应用包括电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
  STS11N3LLH5 属于逻辑电平 MOSFET,能够在较低的栅极驱动电压下正常工作,适用于电池供电设备和其他低功耗系统。

参数

类型:NMOS
  最大漏源电压(Vds):30V
  最大栅源电压(Vgs):±20V
  持续漏电流(Id):11A
  导通电阻(Rds(on)):3.9mΩ
  栅极电荷(Qg):8nC
  总功耗(Ptot):17W
  工作温度范围:-55°C 至 +150°C
  封装形式:TO-263-3

特性

STS11N3LLH5 的主要特性如下:
  1. 极低的导通电阻(3.9mΩ),有助于降低传导损耗并提高效率。
  2. 逻辑电平栅极驱动设计,适合在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压范围内使用。
  3. 快速开关能力,能够显著减少开关损耗。
  4. 高浪涌电流能力,确保在瞬态条件下稳定运行。
  5. 符合 RoHS 标准,环保且无铅。
  6. 可靠性高,适用于多种工业和消费类电子产品。

应用

STS11N3LLH5 广泛应用于以下领域:
  1. 开关电源(SMPS)中的同步整流器。
  2. 电机驱动电路中的功率级开关。
  3. 负载开关和保护电路。
  4. 电池管理系统(BMS)中的充放电控制。
  5. LED 驱动器和照明应用。
  6. 各种 DC/DC 转换器模块。
  由于其出色的性能,该 MOSFET 在需要高效功率转换和低热损耗的场合表现出色。

替代型号

IRLZ44N, FDN340P, AO3400A

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STS11N3LLH5参数

  • 其它有关文件STS11N3LLH5 View All Specifications
  • 标准包装1
  • 类别分离式半导体产品
  • 家庭FET - 单
  • 系列STripFET™
  • FET 型MOSFET N 通道,金属氧化物
  • FET 特点逻辑电平门
  • 漏极至源极电压(Vdss)30V
  • 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C11A
  • 开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C14 毫欧 @ 5.5A,10V
  • Id 时的 Vgs(th)(最大)1V @ 250µA
  • 闸电荷(Qg) @ Vgs5nC @ 4.5V
  • 输入电容 (Ciss) @ Vds724pF @ 25V
  • 功率 - 最大2.7W
  • 安装类型表面贴装
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商设备封装8-SO
  • 包装Digi-Reel?
  • 其它名称497-10310-6