时间：2025/6/4 3:14:21
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STS11N3LLH5 是一款由 STMicroelectronics（意法半导体）生产的 N 沣道场效应晶体管（MOSFET）。该器件采用先进的制程技术制造，具有低导通电阻和快速开关特性。其主要应用包括电源管理、电机驱动、负载开关等领域。
STS11N3LLH5 属于逻辑电平 MOSFET，能够在较低的栅极驱动电压下正常工作，适用于电池供电设备和其他低功耗系统。
类型：NMOS
最大漏源电压（Vds）：30V
最大栅源电压（Vgs）：±20V
持续漏电流（Id）：11A
导通电阻（Rds(on)）：3.9mΩ
栅极电荷（Qg）：8nC
总功耗（Ptot）：17W
工作温度范围：-55°C 至 +150°C
封装形式：TO-263-3
STS11N3LLH5 的主要特性如下：
1. 极低的导通电阻（3.9mΩ），有助于降低传导损耗并提高效率。
2. 逻辑电平栅极驱动设计，适合在 4.5V 至 10V 的栅极驱动电压范围内使用。
3. 快速开关能力，能够显著减少开关损耗。
4. 高浪涌电流能力，确保在瞬态条件下稳定运行。
5. 符合 RoHS 标准，环保且无铅。
6. 可靠性高，适用于多种工业和消费类电子产品。
STS11N3LLH5 广泛应用于以下领域：
1. 开关电源（SMPS）中的同步整流器。
2. 电机驱动电路中的功率级开关。
3. 负载开关和保护电路。
4. 电池管理系统（BMS）中的充放电控制。
5. LED 驱动器和照明应用。
6. 各种 DC/DC 转换器模块。
由于其出色的性能，该 MOSFET 在需要高效功率转换和低热损耗的场合表现出色。
IRLZ44N, FDN340P, AO3400A
