2FI50A-060N 是一款由 IXYS 公司生产的功率场效应晶体管(MOSFET),主要设计用于高功率开关应用。该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,具有低导通电阻(RDS(on))和高电流承载能力,适用于电源管理、DC-DC 转换器、电机控制以及各种高功率电子系统。该 MOSFET 采用 TO-247 封装,具备良好的散热性能,能够在高温度环境下稳定工作。
类型:N 沟道 MOSFET
最大漏极电流(ID):50A
最大漏源电压(VDS):60V
最大栅源电压(VGS):±20V
导通电阻(RDS(on)):最大 0.018Ω
工作温度范围:-55°C 至 +175°C
封装形式:TO-247
2FI50A-060N MOSFET 具有多个关键特性,使其适用于高功率和高效率的电子设计。
首先,其极低的导通电阻(RDS(on))可显著降低导通损耗,提高系统效率,特别适用于高电流应用场景,如电源转换器和电机驱动器。此外,该器件采用了先进的平面 DMOS 技术,确保了良好的热稳定性和高频开关性能,有助于提升整体系统可靠性。
其次,该 MOSFET 的 TO-247 封装设计具有优异的热管理和散热能力,能够在高功率密度环境下长时间稳定运行。同时,其最大工作电压为 60V,最大漏极电流可达 50A,能够满足大多数中高功率应用的需求。
此外,该器件具备良好的栅极电荷特性(Qg),支持快速开关操作,减少开关损耗,提高系统响应速度。其 ±20V 的最大栅源电压允许使用标准驱动电路进行控制,简化了设计流程。
最后,2FI50A-060N 具备宽泛的工作温度范围(-55°C 至 +175°C),适用于各种严苛环境条件下的工业、汽车及消费类电子应用。
2FI50A-060N MOSFET 广泛应用于多个领域,主要包括:
1. 电源管理系统:如 DC-DC 转换器、同步整流器和负载开关,其低导通电阻和高电流能力有助于提高转换效率并减少发热。
2. 电机控制电路:适用于无刷直流电机驱动器、电动车控制器和工业自动化设备中的功率开关。
3. 工业自动化设备:如可编程逻辑控制器(PLC)、电源管理模块及各种高功率开关控制电路。
4. 电池管理系统(BMS):用于能量存储系统中的充放电控制,确保电池组的安全和高效运行。
5. 汽车电子系统:包括车载充电器、电动助力转向系统(EPS)和车用 DC-AC 逆变器等应用。
6. 太阳能逆变器和储能系统:用于实现高效的能量转换和功率管理。
IRF3205, SiRF3415, IXTH50N060T2, FDP50N06