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MRF9080S 发布时间 时间:2025/9/3 12:10:30 查看 阅读:11

MRF9080S 是一款由NXP Semiconductors(恩智浦半导体)制造的射频功率晶体管(RF Power Transistor),属于双极型晶体管(BJT)类别,适用于高频和高功率应用。这款晶体管设计用于在800MHz至900MHz频段内工作,具有较高的输出功率能力和良好的线性度。MRF9080S 常用于移动通信基础设施、基站、无线通信系统和其他需要高功率放大的应用。该器件采用表面贴装封装(Surface Mount Package),便于在现代电子设备中集成。

参数

工作频率范围:800MHz - 900MHz
  最大输出功率:100W(典型值)
  增益:约10dB(典型值)
  电源电压:28V
  工作电流:500mA(典型值)
  封装类型:表面贴装(SMD)
  工作温度范围:-65°C 至 +150°C
  阻抗匹配:50Ω输入/输出

特性

MRF9080S 是一款专为高频高功率应用设计的射频晶体管,具有出色的输出功率特性和稳定性。它能够在800MHz至900MHz的高频范围内提供高达100W的输出功率,适用于基站和通信设备中的功率放大器模块。该晶体管具有良好的热稳定性和机械坚固性,能够在恶劣的环境条件下长时间运行。MRF9080S 还具备良好的线性度和效率,能够满足高要求的通信系统对信号保真度的需求。其表面贴装封装设计使得安装更加简便,适用于自动化生产和紧凑型电路设计。此外,该器件具有较低的热阻,有助于提高整体系统的可靠性。

应用

MRF9080S 主要用于移动通信基础设施,如蜂窝基站、中继器和无线接入点。它也可用于工业和商业通信设备,如广播发射机、雷达系统和测试测量仪器。由于其高功率输出和良好的频率响应特性,MRF9080S 在需要高线性度和稳定性的应用中表现出色。

替代型号

MRF9080S 的替代型号包括 MRF9080 和 MRF9080H,这些型号在性能和封装上略有不同,可根据具体应用需求进行选择。

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